[实用新型]太阳能电池的电极结构有效
| 申请号: | 201721164502.3 | 申请日: | 2017-09-12 | 
| 公开(公告)号: | CN207529945U | 公开(公告)日: | 2018-06-22 | 
| 发明(设计)人: | 赵邦桂;李跃恒;韩金成 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 | 
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 | 
| 代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 | 
| 地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 断开 太阳能硅片 光电转换层 细栅线 主栅线 切割 太阳能电池 背面电极 电极结构 切割位置 正面电极 半片 本实用新型 电池片效率 串联电阻 损伤 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池的电极结构,包括太阳能硅片、设置在所述太阳能硅片上的光电转换层、设置在所述光电转换层正面的正面电极以及设置在所述光电转换层背面的背面电极,所述正面电极和/或所述背面电极包括若干主栅线以及若干细栅线,每根主栅线均在中间断开,形成一断开区域,作为太阳能硅片的切割位置,且在所述断开区域内没有分布细栅线。通过将每根主栅线均在中间断开,从而形成一断开区域,作为太阳能硅片的切割位置,且在断开区域内没有分布细栅线;从而以可方便在中间断开区域完成太阳能硅片的半片切割,减少切割带来的损伤,降低串联电阻,提升切割后的半片电池片效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池的电极结构。
背景技术
太阳能电池是人们未来发电的一种重要方式,采用晶体硅制造的太阳能双面半片电池是未来几年光伏行业的主流技术。印刷电极是制作太阳能双面半片电池的关键环节,一般采用丝网印刷工艺分别在硅片的正面和背面形成电极结构。其中,所述电极结构包括:设置在硅片双面的细栅线和设置在所述细栅线上方的主栅线。所述主栅线和细栅线的形状决定了太阳电池受光面有效受光面积的大小以及电池转换效率的多少。
如图1所示,现有的电极结构包括设置在太阳能硅片1双面的细栅线2和设置在所述细栅线上方的主栅线3,其中每根主栅线3连续延伸形成一整体,细栅线2均匀地分布在太阳能硅片1上。
然而,在太阳能电池的后续工艺中,有可能需要对已经制备电极的电池进行切割,该操作极易损坏电极结构,从而对电池的性能产生影响。
鉴于此,有必要对现有的太阳能电池的电极结构进行改进。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种太阳能电池的电极结构,以方便对太阳能电池进行完切割,减少切割带来的损伤,降低串联电阻,提升切割后的半片电池片的效率。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
一种太阳能电池的电极结构,包括太阳能硅片、设置在所述太阳能硅片上的光电转换层、设置在所述光电转换层正面的正面电极以及设置在所述光电转换层背面的背面电极,其中:
所述正面电极和/或所述背面电极包括若干主栅线以及若干细栅线,所述若干细栅线之间相互平行,所述若干主栅线之间相互平行,且细栅线与主栅线相互垂直;
每根主栅线均在中间断开,形成一断开区域,作为太阳能硅片的切割位置,且在所述断开区域内没有分布细栅线。
在本实用新型的一个实施例中,所述断开区域位于所述太阳能硅片的中间,且每根断开的主栅线的两部分沿断开区域对称分布。
在本实用新型的一个实施例中,位于所述断开区域两侧的所述细栅线相对于所述断开区域对称分布。
在本实用新型的一个实施例中,所述主栅线的形状大小相同。
在本实用新型的一个实施例中,所述细栅线的形状大小相同。
在本实用新型的一个实施例中,所述细栅线的数量为偶数根。
本实用新型由于采用以上技术方案,使之与现有技术相比,具有以下的优点和积极效果:
1)本实用新型提供的太阳能电池的电极结构,通过将每根主栅线均在中间断开,从而形成一断开区域,作为太阳能硅片的切割位置,且在断开区域内没有分布细栅线;从而以可方便在中间断开区域完成太阳能硅片的半片切割,减少切割带来的损伤,降低串联电阻,提升切割后的半片电池片效率。
附图说明
图1为现有技术中的太阳能电池的电极结构示意图;
图2为本实用新型所提供的太阳电池的电极结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司,未经国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721164502.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能电池
 - 下一篇:太阳能旁路二极管芯片
 
- 同类专利
 
- 专利分类
 
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





