[实用新型]一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片

权利要求书

1.一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片，其特征在于，包括：

SOI芯片基底，所述SOI芯片基底上的二氧化硅层及其上的器件层共同构成SOI压力敏感层，所述SOI压力敏感层上形成有压电薄膜，在所述压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅；

在SOI芯片基底内从SOI芯片基底底面延伸至压力敏感层形成有检测压力时提供参考压力的腔室。

2.如权利要求1所述的基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片，其特征在于，SOI器件层的电阻率≥5kΩ；

和/或所述压电薄膜为晶粒呈c轴取向的纯AlN压电薄膜或掺杂10at％-43at％钪元素的AlN压电薄膜。

3.如权利要求1所述的基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片，其特征在于，叉指换能器和反射栅在压电薄膜上方呈平行设置，所述叉指换能器和反射栅材料为同一种材料。

4.如权利要求1或3所述的基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片，其特征在于，所述叉指换能器和反射栅的材料为铝、金、钼、铂、铱或其合金。

5.如权利要求1所述的基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片，其特征在于，所述SOI芯片基底之下为第二芯片基底，在SOI芯片基底内从第二芯片基底延伸至压力敏感层之间形成有高真空密封腔室。

6.如权利要求1所述的基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片，其特征在于，在压力敏感层与压电薄膜之间形成有底电极，所述底电极可引出并接地，也可不引出。

7.如权利要求1或6所述的基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片，其特征在于，在压力敏感层与底电极之间形成有二氧化硅平铺层，或者在压力敏感层与底电极之间形成有二氧化硅立体结构与多晶硅立体结构交叉分布的周期性阵列平铺层；或者在压力敏感层与压电薄膜之间形成有二氧化硅平铺层，或者在压力敏感层与压电薄膜之间形成有二氧化硅立体结构与多晶硅立体结构交叉分布的周期性阵列平铺层。