[实用新型]一种大电流半导体器件结构

说明书

本实用新型公开了一种大电流半导体器件结构，其结构包括断电保护器、一号接入端头、紧固螺丝、一号输入端口、二号输入端口、二号接入端头、复位按钮、保护器、指示灯、二号接出端头、二号输出端口、一号输出端口、一号接出端头、卡扣、大电流器件；为了实现大电流半导体器件结构能够增加半导体器件接触面积来使大电流的通过和在受到雷击时半导体器件自动断开，断电保护器内设有大电流器件，大电流器件通过接触导电引脚和夹线片增加半导体器件接触面积来使大电流的通过，避免电流过大时引起短路，大电流器件上设有保险管，保险管通过管座上的保险管引线来判断电流安培的大小，当过电流过大时，自动避免断开，避免引起电器的烧毁。

技术领域

本实用新型是一种大电流半导体器件结构，属于半导体领域。

背景技术

现今大电流的半导体封装互连还是利用打线机将铝线或铝带以超声波打线方式将芯片的接触铝垫与铜框架的引脚压黏形成导电通路，此法提供的导电电流需视铝线的直径大小或是铝带的宽窄来决定，但因铝线/带的打线工艺技术有其最大线径与线宽的限制，有些产品需要并排的打上2~10条的铝线/带才能达到数十安培的大电流需求，在打线工艺上需要用到价格昂贵的超声波打线/带机，打线成本高，同时芯片本体也容易因芯片打点多而造成芯片内部电路的挤压破坏而产生产品的最终可靠性问题。原工艺流程：框架点导电胶、上芯片、烘烤、超声波焊铝线/带、塑封。

现有技术公开了申请号为：CN201420143532.6的一种大电流半导体器件结构，包括一封装外壳，其特征在于：所述封装外壳内设有一承载片，所述承载片包括承载位和承载引脚，所述承载位通过下层锡膏与芯片的下层铝垫紧密接触，所述芯片的上层铝垫通过上层锡膏与一接触导电片的触片紧密接触，所述接触导电片还设有接触导电引脚。该现有技术是利用预先设计好的一对上下对位的铜框架，没有超声波和挤压的力道施加于芯片，因此不会伤到芯片里层的电路，不会有可靠性的问题，同时互连是用铜框架上的铜片，其宽度可依电流的大小设计，可耐大电流，工艺技术也不需昂贵的机台设备，既可靠又经济，但是现有技术只能同时互连是用铜框架上的铜片，其宽度可依电流的大小设计，可耐大电流，不能增加半导体器件接触面积来使大电流的通过，避免电流过大时引起短路，不能在受到雷击时半导体器件自动断开，避免引起电器的烧毁。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种大电流半导体器件结构，以解决只能同时互连是用铜框架上的铜片，其宽度可依电流的大小设计，可耐大电流，不能增加半导体器件接触面积来使大电流的通过，避免电流过大时引起短路，不能在受到雷击时半导体器件自动断开，避免引起电器的烧毁的问题。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种大电流半导体器件结构，其结构包括断电保护器、一号接入端头、紧固螺丝、一号输入端口、二号输入端口、二号接入端头、复位按钮、保护器、指示灯、二号接出端头、二号输出端口、一号输出端口、一号接出端头、卡扣、大电流器件；

所述的断电保护器中间位置上设有保护器，所述的断电保护器和保护器相配合，所述的保护器为矩形结构且顶部设有复位按钮和指示灯，所述的断电保护器前端上设有一号接入端头和二号接入端头，所述的一号接入端头和二号接入端头均与断电保护器为一体化结构，所述的一号接入端头上设有一号输入端口，所述的二号输入端口设于二号接入端头表面上，所述的一号接入端头和二号接入端头表面上均设有紧固螺丝，所述的断电保护器后端上设有一号接出端头和二号接出端头，所述的一号接出端头和二号接出端头均与断电保护器为一体化结构，所述的一号接出端头上设有一号输出端口，所述的二号输出端口设于二号接出端头表面上，所述的断电保护器底部设有卡扣，所述的断电保护器和卡扣固定连接，所述的断电保护器内部设有大电流器件；