[实用新型]承载组件和高分子薄膜极化装置

说明书

本实用新型涉及薄膜技术领域，尤其涉及一种承载组件和高分子薄膜极化装置。本实用新型的承载组件包括金属载板、掩板，所述金属载板接地设置，用于承载高分子薄膜器件，所述掩板与金属载板活动连接，并可与金属载板盖合，所述掩板上开设开口以与金属载板盖合后露出高分子薄膜器件上需要极化的高分子薄膜，且掩板与金属载板盖合后，掩板与承载在载板上的高分子薄膜器件之间存在间隙。本实用新型的承载组件，防止了在极化前掩板对高分子薄膜器件上的高分子薄膜造成损伤，提高了生产合格率。

【技术领域】

本实用新型涉及薄膜技术领域，尤其涉及一种承载组件和高分子薄膜极化装置。

【背景技术】

极化是薄膜材料处理中的一个重要环节，主要目的是使薄膜材料中杂乱取向的分子偶极矩获得特定方向(如极化电场方向)的一致取向，从而使该薄膜材料具有压电性能。

薄膜极化通常直接将薄膜材料置于电极之间，利用电极产生的高压电场完成极化，但是在极化过程中非常容易将薄膜材料击穿，生产合格率很低，基本不能大规模生产。

【实用新型内容】

针对现有薄膜极化生产合格率低的问题，本实用新型提供一种承载组件和高分子薄膜极化装置。

本实用新型解决技术问题的方案是提供一种承载组件，用于在极化过程中承载高分子薄膜器件，所述高分子薄膜器件包括基底以及设置在基底一表面的高分子薄膜，所述承载组件包括金属载板、掩板，所述金属载板接地设置，用于承载高分子薄膜器件，所述掩板与金属载板活动连接，并可与金属载板盖合，所述掩板上开设开口以与金属载板盖合后露出高分子薄膜器件上需要极化的高分子薄膜，且掩板与金属载板盖合后，掩板与承载在载板上的高分子薄膜器件之间存在间隙。

优选地，所述间隙的大小为1um￣2mm。

优选地，所述掩板为柔性塑胶材料制成并可在极化过程中静电吸附在高分子薄膜器件上。

优选地，所述掩板的厚度为0.1mm￣10mm。

优选地，所述掩板的介电强度大于14Mv/m。

优选地，所述载板包括收纳区域和非收纳区域，所述高分子薄膜器件放置在收纳区域，所述掩板与载板的非收纳区域活动连接。

优选地，所述高分子薄膜器件靠近掩板的表面距离掩板的距离要小于载板靠近掩板的表面距离掩板的距离，所述掩板与高分子薄膜器件之间留有空隙。

优选地，所述高分子薄膜器件靠近掩板的表面距离掩板的距离要大于载板靠近掩板的表面距离掩板的距离，但掩板与高分子薄膜器件之间仍留有空隙。

本发明还提供一种高分子薄膜极化装置，所述高分子薄膜极化装置采用如上所述的承载组件。

优选地，所述高分子薄膜极化装置进一步包括电场组件，所述电场组件设置在高分子薄膜远离基底的表面的上方，所述电场组件用于对露出的高分子薄膜进行极化。

与现有技术相比，本实用新型的承载组件，包括金属载板、掩板，所述金属载板接地设置，用于承载高分子薄膜器件，所述掩板与金属载板活动连接，并可与金属载板盖合，所述掩板上开设开口以与金属载板盖合后露出高分子薄膜器件上需要极化的高分子薄膜，且掩板与金属载板盖合后，掩板与承载在载板上的高分子薄膜器件之间存在间隙。本实用新型的承载组件，防止了在极化前掩板对高分 子薄膜器件上的高分子薄膜造成损伤，提高了生产合格率。

进一步的，所述间隙的大小为1um－2mm，进一步优选1um￣0.5mm，既确保掩板不会压在高分子薄膜上，又保证在极化过程中掩板可以与高分子薄膜器件吸附贴合。

进一步的，在进行极化的过程中，所述掩板可与高分子薄膜器件吸附贴合，从而确保了掩板的遮盖精度，防止极化过程中产生的电荷流入到掩板与高分子薄膜器件之间的间隙中。