[实用新型]一种快速导通MOSFET放大电路及功率放大器有效

专利信息
申请号: 201721125920.1 申请日: 2017-09-04
公开(公告)号: CN207150543U 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 许守东;陈勇;李胜男;张丽;李俊鹏 申请(专利权)人: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
主分类号: H03F3/21 分类号: H03F3/21;H03F1/02
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 逯长明,许伟群
地址: 650217 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 快速 mosfet 放大 电路 功率放大器
【权利要求书】:

1.一种快速导通MOSFET放大电路,其特征在于,所述电路包括第一MOSFET管、第一电压源、第一驱动信号源、第一直流电源、第一电容和第一三级管,其中:

所述第一驱动信号源的输出端连接所述第一三级管的基极、所述第一三级管的射极连接所述第一MOSFET管的栅极;

所述第一电容的一端分别连接所述第一三级管的集电极和所述第一直流电源的输出端、另一端接地;

所述第一MOSFET管的漏极连接所述第一电压源的输出端、源极接地。

2.根据权利要求1所述的放大电路,其特征在于,所述电路还包括由第二三级管和第三三极管组成的图腾柱驱动单元、第二直流电源以及第一电阻,其中:

所述第一电阻的一端连接所述第一驱动信号源的输出端、另一端分别连接所述第二三级管和第三三极管的基极;

所述第二三级管的集电极连接所述第二直流电源的输出端、射极连接分别连接所述第一MOSFET管的栅极、所述第三三极管的射极和所述第一三极管的射极;

所述第三三极管的集电极接地。

3.根据权利要求1所述的放大电路,其特征在于,所述第一电容包括多个并联的子电容。

4.根据权利要求1所述的放大电路,其特征在于,所述电路还包括第二MOSFET管、第二电压源、第二驱动信号源、第三直流电源、第二电容和第四三级管,其中:

所述第二驱动信号源的输出端连接所述第四三级管的基极、所述第四三级管的射极连接所述第二MOSFET管的栅极;

所述第二电容的一端分别连接所述第四三级管的集电极和所述第三直流电源的输出端、另一端接地;

所述第二MOSFET管的漏极连接所述第二电压源的输出端、源极接地,所述第二MOSFET管的与所述第一MOSFET管的导通特性相反。

5.根据权利要求4所述的放大电路,其特征在于,所述电路还包括由第五三级管和第六三极管组成的图腾柱驱动单元、第四直流电源以及第二电阻,其中:

所述第二电阻的一端连接所述第二驱动信号源的输出端、另一端分别连接所述第五三级管和第六三极管的基极;

所述第五三级管的集电极连接第四直流电源、射极连接分别连接所述第一MOSFET管的栅极、所述第六三极管的射极和所述第一三极管的射极;

所述第六三极管的集电极接地。

6.一种功率放大器,其特征在于,包括权利要求1-5任一所述的快速导通MOSFET放大电路。

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