[实用新型]一种MOS管过流保护电路有效
| 申请号: | 201721125190.5 | 申请日: | 2017-09-04 |
| 公开(公告)号: | CN207117586U | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
| 发明(设计)人: | 许守东;陈勇;李胜男;郭成;周鑫 | 申请(专利权)人: | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
| 主分类号: | H03K17/081 | 分类号: | H03K17/081 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 逯长明,许伟群 |
| 地址: | 650217 云南省昆*** | 国省代码: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 mos 保护 电路 | ||
1.一种MOS管过流保护电路,用于与MOS管连接,其特征在于,所述MOS管过流保护电路包括第一电容(C1)、充电电路(L1)、放电电路(L2)与MOS管断开电路(L3);
所述第一电容(C1)串联在MOS管的S极与MOS管的D极之间;
所述充电电路(L1)与放电电路(L2)并联后串联在所述第一电容(C1)与MOS管驱动电路之间,所述充电电路(L1)用于根据MOS管驱电路传输的MOS管导通信号,并对所述第一电容(C1)充电,使所述第一电容(C1)的充电电压随MOS管的导通电压VDS同步升降;
所述放电电路(L2)用于根据MOS管驱动电路传输的MOS管断开信号,并对所述第一电容(C1)完全放电;
所述MOS管断开电路(L3)串联在所述第一电容(C1)与MOS管的G极之间,用于在所述第一电容(C1)的充电电压超过预设稳压值时,将MOS管的G极电压降低,从而使MOS管断开。
2.根据权利要求 1所述的MOS管过流保护电路,其特征在于,所述充电电路(L1)包括第一三极管(Q1)与第二三极管(Q2),所述第一三极管(Q1)的c极通过第七电阻(R7)连接至第二三极管(Q2)的b极,
所述第一三极管(Q1)的b极连接第二电阻(R2)的一端,所述第一三极管(Q1)的e极接地;
所述第二电阻(R2)的另一端用于连接MOS管驱动电路;
所述第二三极管(Q2)的e极用于连接直流电源,其c极通过第一电阻(R1)连接至所述第一电容(C1)的一端。
3.根据权利要求 1所述的MOS管过流保护电路,其特征在于,所述MOS管断开电路(L3)包括第四三极管(Q4),所述第四三极管(Q4)的c极连接第六二极管(D6)的负极,所述第六二极管(D6)的正极用于连接MOS管的G极,
所述第四三极管(Q4)的b极依次连接第二二极管(D2)的正极与第一二极管(D1)的负极,所述第一二极管(D1)的正极连接至所述第一电容(C1)的一端,其中,所述第二二极管(D2)为稳压二极管;
所述MOS管断开断路还包括第四电阻(R4)与第二电容(C2),所述第四电阻(R4)与所述第二电容(C2)并联后连接所述第四三极管(Q4)的b极与e极的两端,所述第四三极管(Q4)的e极接地。
4.根据权利要求 1所述的MOS管过流保护电路,其特征在于,所述放电电路(L2)包括第三三极管(Q3),所述第三三极管(Q3)的b极连接第三电组(R3)的一端,其e极连接至所述第一电容(C1)的一端,其c极接地;
所述第三电组(R3)的另一端用于连接所述MOS管驱动电路。
5.根据权利要求 1所述的MOS管过流保护电路,其特征在于,所述第一电容(C1)与MOS管e极的连接线路上设置钳位电路(L4),所述钳位电路(L4)用于在第一电容(C1)的充电电压未超过预设的稳压值时,将所述第一电容(C1)的充电电压钳制在预设的钳电压上。
6.根据权利要求 5所述的MOS管过流保护电路,其特征在于,所述钳位电路(L4)包括第五二极管(D5)与第三二极管(D3),所述第五二极管(D5)的负极通过第五电阻(R5)连接至所述第一电容(C1)的一端;
所述第五二极管(D5)的正极连接所述第三二极管(D3)的正极,其中,第五二极管(D5)为稳压二极管;
所述第三二极管(D3)的负极连接至MOS管的D极。
7.根据权利要求 1所述的MOS管过流保护电路,其特征在于,所述MOS管过流保护电路还包括过流上报电路(L5),所述过流上报电路(L5)用于在所述第一电容(C1)的充电电压超过预设的稳压值时,发送过流故障信号。
8.根据权利要求 7所述的MOS管过流保护电路,其特征在于,所述过流上报电路(L5)包括第四二极管(D4),所述第四二极管(D4)的负极连接所述MOS管断开电路(L3)中第三三极管(Q4)的c极,
所述第四二极管(D4)的正极连接第六电阻(R6)的一端,所述第六电阻(R6)的另一端连接直流电压;
所述第四二极管(D4)的正极还连接至控制器,所述控制器用于控制MOS管的通断。
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