[实用新型]温度补偿声表面波谐振器有效
| 申请号: | 201721122627.X | 申请日: | 2017-09-04 |
| 公开(公告)号: | CN207184433U | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
| 发明(设计)人: | 张树民;陈海龙;王国浩;郑贵珍;汪泉 | 申请(专利权)人: | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
| 主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/05;H03H9/25 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人: | 李明 |
| 地址: | 310018 浙江省杭州市经济技术开发区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 温度 补偿 表面波 谐振器 | ||
1.一种温度补偿声表面波谐振器,其特征在于,所述温度补偿声表面波谐振器包括基片、位于该基片上方的压电材料基板以及形成于该压电材料基板上的叉指结构,其中,所述基片和所述压电材料基板之间包括键合层、以形成复合基板。
2.根据权利要求1所述的温度补偿声表面波谐振器,其特征在于,所述键合层包括沉积在所述基片上的第一黏附薄膜层、沉积在所述压电材料基板上的第二黏附薄膜层。
3.根据权利要求1所述的温度补偿声表面波谐振器,其特征在于,所述叉指结构的材料包括铝、钛、铜、铬、银的组合或者其中之一。
4.根据权利要求1所述的温度补偿声表面波谐振器,其特征在于,所述基片的材料包括硅片或者蓝宝石。
5.根据权利要求1所述的温度补偿声表面波谐振器,其特征在于,所述键合层包括二氧化硅或者氮氧化硅。
6.根据权利要求1所述的温度补偿声表面波谐振器,其特征在于,所述压电材料基板的材料包括铌酸锂、钽酸锂、氮化铝或者氧化锌。
7.根据权利要求2所述的温度补偿声表面波谐振器,其特征在于,所述第一黏附薄膜层和第二黏附薄膜层的材料包括二氧化硅或者氮氧化硅。
8.根据权利要求1所述的温度补偿声表面波谐振器,其特征在于,所述压电材料基板的厚度在5~100微米的范围内。
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