[实用新型]一种触控基板和显示装置有效
申请号: | 201721109328.2 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN207067963U | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 杨文娟 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 触控基板 显示装置 | ||
1.一种触控基板,所述触控基板包括保护盖板和设置在所述保护盖板上的触控层,其特征在于,所述触控层和所述保护盖板之间设有第一消隐层,所述触控层的远离所述保护盖板的一侧设有第二消隐层。
2.根据权利要求1所述的触控基板,其特征在于,所述第一消隐层为至少一组子层构成的周期结构,所述第二消隐层为单层结构。
3.根据权利要求2所述的触控基板,其特征在于,所述第一消隐层的每组子层均包括层叠的第一子层和第二子层,所述第一子层的折射率大于所述第二子层的折射率,其中,所述第一子层为每组子层中,较靠近所述保护盖板的子层。
4.根据权利要求3所述的触控基板,其特征在于,当所述第一消隐层包括至少两组子层时,所述第一消隐层的不同组子层中的第一子层的折射率相同且厚度不同,并且所述第一消隐层的不同组子层中的第二子层的折射率相同且厚度不同。
5.根据权利要求3所述的触控基板,其特征在于,所述第一消隐层的第一子层为NbO层,所述第一消隐层的第二子层为SiO2层。
6.根据权利要求5所述的触控基板,其特征在于,所述第一消隐层的第一子层的厚度为40埃~140埃,所述第一消隐层的第二子层的厚度为350埃~450埃。
7.根据权利要求2所述的触控基板,其特征在于,所述第二消隐层为SiON层。
8.根据权利要求7所述的触控基板,其特征在于,所述第二消隐层的厚度为650埃~750埃。
9.根据权利要求1~8任一项所述的触控基板,其特征在于,所述保护盖板上还设置有增透层,所述增透层位于所述第一消隐层和所述保护盖板之间,或者,所述增透层和所述第一消隐层分别位于所述保护盖板的两侧面。
10.根据权利要求9所述的触控基板,其特征在于,所述增透层为至少一组子层构成的周期结构,所述增透层的每组子层均包括层叠的第一子层和第二子层,所述增透层的第一子层的折射率大于所述增透层的第二子层的折射率,其中,所述增透层的第一子层为每组子层中,较靠近所述保护盖板的子层。
11.根据权利要求10所述的触控基板,其特征在于,当所述增透层包括至少两组子层时,所述增透层的不同组子层中的第一子层的折射率相同且厚度不同,并且所述增透层的不同组子层中的第二子层的折射率相同且厚度不同。
12.根据权利要求10所述的触控基板,其特征在于,所述增透层的第一子层为NbO层,所述增透层的第二子层为SiO2层。
13.根据权利要求12所述的触控基板,其特征在于,所述增透层包括2组子层。
14.根据权利要求13所述的触控基板,其特征在于,所述增透层的第一组子层中的第一子层的厚度为140埃~240埃,第二子层的厚度为190埃~290埃,所述增透层的第二组子层中的第一子层的厚度为1080埃~1180埃,第二子层的厚度为780埃~880埃,其中所述增透层的第一组子层为所述增透层中较靠近所述保护盖板的一组子层。
15.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1~14任一项所述的触控基板。
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