[实用新型]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，其具有形成有像素的显示区域，所述显示装置的特征在于，

所述像素包含使用了氧化物半导体的第1TFT，

在所述氧化物半导体之上形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上形成第1栅电极，

在所述氧化物半导体的源极及漏极的各自中，以与所述氧化物半导体接触的方式形成由金属或合金形成的第1源漏电极，

所述第1栅电极及所述第1源漏电极为相同材料。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述栅极绝缘膜覆盖所述氧化物半导体而形成，所述第1源漏电极经由形成于所述栅极绝缘膜的通孔而与所述第1TFT的源极或漏极连接。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述栅极绝缘膜覆盖所述第1TFT的沟道部、形成为岛状，并且在所述第1源漏电极与所述氧化物半导体之间不存在所述栅极绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第1TFT的沟道部与所述源漏电极经由在所述氧化物半导体中掺杂有离子的区域而连接。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第1TFT被第1绝缘膜覆盖，

第2源漏电极经由形成于所述第1绝缘膜的通孔而与所述第1源漏电极连接，

在形成于所述第1绝缘膜的通孔的底部，存在所述第1源漏电极。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

在所述显示区域的外侧形成驱动电路，

所述驱动电路包含由Poly-Si半导体层形成的第2TFT。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，

所述第2TFT被第2绝缘膜覆盖，

第3源漏电极经由形成于所述第2绝缘膜的通孔而与所述Poly-Si半导体层连接，

在形成于所述第2绝缘膜的通孔的底部，存在所述Poly-Si半导体。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，与所述第2TFT的栅电极同层、且由相同材料形成有所述第1TFT的遮光膜。

9.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域进一步包含利用Poly-Si的第2TFT。

10.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路进一步包含利用所述氧化物半导体的第1TFT。

11.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第1TFT与所述第2TFT为顶栅型的TFT。

12.一种显示装置，其具有形成有像素的显示区域，所述显示装置的特征在于，

所述像素包含使用了氧化物半导体的第1TFT，

在所述氧化物半导体之上形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上形成第1栅电极，

在所述氧化物半导体的源极及漏极的各自中，以与所述氧化物半导体接触的方式形成由金属或合金形成的第1源漏电极，

覆盖所述氧化物半导体、所述栅电极、所述第1源漏电极地形成第1绝缘膜，

第2源漏电极经由形成于所述第1绝缘膜的通孔而与所述第1源漏电极连接，

在形成于所述第1绝缘膜的通孔的底部，存在所述第1源漏电极。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述栅极绝缘膜覆盖所述氧化物半导体而形成，所述第1源漏电极经由形成于所述栅极绝缘膜的通孔而与所述第1TFT的源极或漏极连接。

14.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述栅极绝缘膜覆盖所述第1TFT的沟道部、形成为岛状，并且在所述第1源漏电极与所述氧化物半导体之间不存在所述栅极绝缘膜。

15.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述第1TFT的沟道部与所述源漏电极经由在所述氧化物半导体中掺杂有离子的区域而连接。

16.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，

在所述显示区域的外侧形成驱动电路，

所述驱动电路包含由Poly-Si半导体层形成的第2TFT。