[实用新型]一种GaN的DC-DC测试装置

说明书

本实用新型公开了一种GaN的DC‑DC测试装置，包括上下MOSFET、输入输出电容、储能电感、控制IC、驱动IC、死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路及测试点系统；其中上下MOSFET、输入输出电容、储能电感、控制IC、驱动IC的功能及连接方式与传统的DC‑DC测试装置一致，死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路替代传统的DC‑DC测试装置部分电路。本实用新型在传统的DC‑DC测试装置的基础上增设了死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路及测试点系统，使得测试装置死区时间可调、测试装置驱动turn‑on电阻、turn‑off电阻可调以及测试装置关键信号测试点布局更灵活合理。

技术领域

本实用新型涉及DC-DC测试技术领域，特别涉及一种GaN的DC-DC测试装置。

背景技术

氮化镓(GaN)是新一代的电力电子器件，商用化、高性价比的GaN功率器件的出现预示着电力电子新时代的到来。GaN器件拥有更低的通态电阻、更快的开关速度、相对较好的热传导能力、更小的尺寸及低的价格潜能，使得其在DC-DC变换领域具有广阔的应用前景。如何有效评估GaN在DC-DC的性能，成为GaN应用中的重要问题。

传统对于GaN器件在DC-DC上的表现，都是在DC-DC测试装置上进行。但是传统的DC-DC测试装置对于开关速度、上下开关管的死区时间等影响DC-DC表现的因素均不能方便地进行调整。这将极大地影响对于GaN器件在DC-DC上的表现的评估效率，而且不能提供在线化测试的接口。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点与不足，提供一种GaN的DC-DC测试装置，在传统的DC-DC测试装置的基础上增设了死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路及测试点系统，使得测试装置死区时间可调、测试装置驱动turn-on电阻、turn-off电阻可调以及测试装置关键信号测试点布局更灵活合理。

本实用新型的目的通过以下的技术方案实现：

一种GaN的DC-DC测试装置，包括上下MOSFET、输入输出电容、储能电感、控制IC、驱动IC、死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路及测试点系统；

死区时间可调电路包括可变电阻模块28与电容29；上下管驱动电阻可调电路分别包括上管开通可变电阻模块30、上管关断可变电阻模块31和下管开通可变电阻模块33、下管关断可变电阻模块32；

具体的，控制IC 21上管输出信号HO与驱动IC 22的上管输入信号HI直接连接；控制 IC 21下管输出信号LO先与可变电阻模块28的一端连接，而可变电阻模块28的另一端与驱动IC 22的下管输入信号LI连接；电容29的一端与驱动IC 22的下管输入信号LI连接，另一端与地连接；驱动IC 22的上管开通信号Hon与上管开通可变电阻模块30一端连接，上管开通可变电阻模块30另一端与上管24的栅极连接；驱动IC 22的上管关断信号Hoff与上管关断可变电阻模块31一端连接，上管关断电阻可变电阻模块31另一端与上管24的栅极连接；驱动IC 22的下管开通信号Lon与下管开通可变电阻模块33一端连接，下管开通可变电阻模块33另一端与下管27的栅极连接；驱动IC 22的下管关断信号Loff与下管关断可变电阻模块32一端连接，下管关断可变电阻模块32另一端与下管27的栅极连接；输入电容23一端与上管24的漏极连接，另一端与地连接；上管24的源极与下管27的漏极、电感25的一端分别连接；下管27的源极与地连接，电感25的另一端与输出电容26一端连接，输出电容 26另一端与地连接；

测试点系统包括输入电容两端测试点、输出电容两端测试点、上管控制IC驱动信号测试点、下管控制IC驱动信号测试点、死区可调电路输出测试点、上管驱动IC导通输出信号测试点、上管驱动IC关断输出信号测试点、下管驱动IC导通输出信号测试点、下管驱动IC关断输出信号测试点、上管驱动电阻可调电路输出测试点、下管驱动电阻可调电路输出测试点、上下管连接测试点。