[实用新型]一种发光二极管

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种在电极表面制备金属纳米颗粒的发光二极管。

背景技术

通常LED的电极表面是金，铝等金属，金属电极在经过CVD沉积、ICP干蚀刻等制程后表面易受到卤族元素、氧元素等作用而在电极表面生成化合物，由于电极表面的纯度发生变化造成固晶打线过程中出现虚焊或打线不牢等状况。本实用新型提出一种新型的LED电极结构能够显著改善电极表面被氧元素、卤族等元素污染的状况，从而改善打线。

发明内容

为解决以上问题，本实用新型提供一种发光二极管，其通过在电极表面设置金属纳米颗粒层，改善LED的电极表面易被其它化学元素污染的问题，从而增强LED固晶打线过程中的打线粘附性。该发光二极管，至少包括衬底，以及依次位于所述衬底上的第一半导体层、发光层、第二半导体层、以及电性连接第一半导体层的第一电极和电性连接第二半导体层的第二电极，其中，所述第一半导体层和第二半导体层电性相反，所述第一电极和第二电极注入电流后，发光层发射一定波长的光线，其特征在于：所述第一电极或/和第二电极表面设置有金属纳米颗粒层。

优选的，所述金属纳米颗粒层为铂、钛、铬、铑或钯纳米颗粒层。

优选的，所述金属纳米颗粒层的厚度小于3nm。

优选的，所述金属纳米颗粒层中的金属纳米颗粒的直径为1~100nm。

优选的，所述金属纳米颗粒层中纳米颗粒间距为1~100nm。

优选的，所述金属纳米颗粒层中的金属纳米颗粒为均匀分布或不均匀分布。

优选的，所述发光二极管还包括电流扩展层，所述电流扩展层位于第二电极之下或者之上。

优选的，位于所述第二电极之上的电流扩展层具有一裸露出第二电极的第一窗口。

优选的，所述第二电极具有指状结构，所述电流扩展层覆盖所述指状结构。

优选的，所述发光二极管还包括钝化层，所述钝化层包括依次层叠的致密性不同的第一钝化层和第二钝化层。

本实用新型在第一电极或/和第二电极表面制备铂、钛、铬、铑或钯等金属纳米颗粒，通常电极表面最外层金属为金，纳米颗粒在电极金的表面能够使得金的表面状态发生改性，降低金由于其较强的表面态对氧元素、卤族等元素的吸附，从而使得电极的表面保持较高的纯度与洁净度，有利于后续打线过程中与线材的键合，从而增强LED固晶打线过程中的打线粘附性。

附图说明

图1为本实用新型之实施例1之发光二极管截面结构示意图。

图2为本实用新型之实施例1之发光二极管俯视结构示意图。

图3为本实用新型之实施例2之发光二极管截面结构示意图。

图4为本实用新型之实施例3之发光二极管截面结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图/附图对本实用新型发光二极管进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。在附图中，同一部位用同一标号表示。

实施例1

参看附图1和2，本实用新型公开的一种发光二极管，至少包括一衬底10，以及依次位于衬底10上的第一半导体层20、发光层30、第二半导体层40、第一电极51和第二电极52。其中，第一半导体层20和第二半导体层40电性相反，第一电极51与第一半导体层20电性连接，第二电极52与第二半导体层40电性连接，第一电极51和第二电极52注入电流后，发光层30发射一定波长的光线。第一电极51或/和第二电极52表面设置有金属纳米颗粒层60，其材料为铂、钛、铬、铑或钯等，金属纳米颗粒层60的厚度小于3nm，其中颗粒直径为1~100nm，纳米颗粒间距为1~100nm，颗粒的分布方式可以为均匀分布，也可以为不均匀分布。

为了减小衬底10与其上生长的半导体层的晶格差异，降低位错，提升半导体层的生长质量，衬底10选用与半导体层晶格匹配性较好的材料，半导体层的材料为三五族元素的化合物，衬底10可以选用蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓等，其结构可以为平片衬底，也可以进行图形化处理的图形化衬底，对衬底的尺寸和厚度，本实用新型不作特别限制，优选图形化蓝宝石衬底，可以增加发光二极管的出光效率。