[实用新型]一种背面场板结构HEMT器件有效
| 申请号： | 201721100656.6 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN207183255U | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 吴华龙;赵维;何晨光;张康;贺龙飞;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广东世纪专利事务所44216 | 代理人： | 刘卉 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 背面 板结 hemt 器件 | ||
1.一种背面场板结构HEMT器件，该HEMT器件为MIS结构HEMT器件或增强型HEMT器件，其特征在于：该HEMT器件包括从下往上依次设置的背面场板（1）、衬底（2）、缓冲层（3）、第一半导体层（4）和第二半导体层（5），所述第二半导体层（5）上设置有漏极（6）和源极（7），所述第一半导体层（4）与第二半导体层（5）为异质结构且在两者的界面处形成有二维电子气沟道，所述漏极（6）和源极（7）与第二半导体层（5）形成欧姆接触并通过所述二维电子气沟道相连接；其中，
当HEMT器件为MIS结构HEMT器件时，所述第二半导体层（5）位于漏极（6）与源极（7）之间的表面上设置有一层栅极氧化层（9），所述栅极氧化层（9）上设置有栅极（8）；
当HEMT器件为增强型HEMT器件时，所述第二半导体层（5）位于漏极（6）与源极（7）之间的表面上设置有栅极（8），且所述栅极（8）与第二半导体层（5）形成肖特基接触。
2.根据权利要求1所述的背面场板结构HEMT器件，其特征在于：所述背面场板（1）为单层导热性较好的金属材料；或者，所述背面场板（1）为双层或多层的高导热性金属材料，所述双层或多层的高导热性金属材料的导热率往远离衬底方向递增。
3.根据权利要求1所述的背面场板结构HEMT器件，其特征在于：所述缓冲层（3）为AlN缓冲层、GaN缓冲层或AlGaN缓冲层。
4.根据权利要求1所述的背面场板结构HEMT器件，其特征在于：所述第一半导体层（4）为GaN层或AlGaN层。
5.根据权利要求1所述的背面场板结构HEMT器件，其特征在于：所述第二半导体层（5）为AlGaN层、AlN层、AlInN层或AlInGaN层。
6.根据权利要求1所述的背面场板结构HEMT器件，其特征在于：所述背面场板（1）采用电镀法、电子束蒸发法、溅射法、气相沉积法或原子层沉积技术制成。
7.根据权利要求1所述的背面场板结构HEMT器件，其特征在于：所述背面场板（1）接入与栅极（8）相同的控制信号。
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