[实用新型]并联IGBT峰值过流检测电路

说明书

本实用新型提供了一种并联IGBT峰值过流检测电路，包括一个过流检测单元、一个检测信号处理单元以及多个检测信号采集单元；其中：所述多个检测信号采集单元的输入端分别连接到多个并联的绝缘栅双极型晶体管IGBT的过流检测引脚，且所述多个检测信号采集单元的输出端分别经由所述检测信号处理单元连接到所述过流检测单元的输入端。本实用新型通过多个检测信号采集单元将多个并联的IGBT的过流检测引脚信号连接到同一个过流检测单元，不仅可节省成本、减小体积，而且更易于布线。

技术领域

本实用新型涉及电流过流保护领域，更具体地说，涉及一种并联IGBT峰值过流检测电路。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(Bipolar Junction Transistor，双极型三极管)和MOS(metal oxide semiconductor，绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,其兼有MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR(Giant Transistor，电力晶体管)的低导通压降两方面的优点，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

在IGBT并联使用的场合中，每个IGBT集成片上的过流信号都需要单独的检测信号采集单元进行过流检测，即每个IGBT连接一个过流检测单元并通过该过流检测单元判断对应的IGBT是否过流。

上述将每个IGBT连接一个过流检测单元的方案，不仅成本较高，而且体积大，特别是并联IGBT较多时。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对上述绝缘栅双极型晶体管IGBT过流检测成本高、体积大的问题，提供一种并联IGBT峰值过流检测电路。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案是，提供一种并联IGBT峰值过流检测电路，包括一个过流检测单元、一个检测信号处理单元以及多个检测信号采集单元；其中：所述多个检测信号采集单元的输入端分别连接到多个并联的绝缘栅双极型晶体管IGBT的过流检测引脚，且所述多个检测信号采集单元的输出端分别经由所述检测信号处理单元连接到所述过流检测单元的输入端。

在本实用新型所述的并联IGBT峰值过流检测电路中，所述检测信号处理单元的输入端包括第一端子和第二端子；每一所述检测信号采集单元包括单向模块以及稳压模块；所述单向模块的输入端连接到IGBT的过流检测引脚、输出端连接到所述检测信号处理单元的第一端子，并使所述IGBT的过流检测引脚的输出电流单向流入所述检测信号处理单元的第一端子；所述稳压模块的两端分别连接到所述IGBT的过流检测引脚以及所述检测信号处理单元的第二端子。

在本实用新型所述的并联IGBT峰值过流检测电路中，所述单向模块包括二极管，且所述二极管的阳极连接所述单向模块的输入端、阴极连接所述单向模块的输出端。

在本实用新型所述的并联IGBT峰值过流检测电路中，所述稳压模块包括第一电阻。

在本实用新型所述的并联IGBT峰值过流检测电路中，所述单向模块还包括第二电阻，且所述第二电阻与所述二极管串联连接在所述单向模块的输入端和输出端之间。

在本实用新型所述的并联IGBT峰值过流检测电路中，所述检测信号处理单元包括第三电阻以及与所述第三电阻并联连接的滤波电容，且所述第三电阻的两端分别连接到所述检测信号处理单元的输入端的第一端子和第二端子，所述滤波电容的两端分别连接到所述过流检测单元的输入端的两个引脚。

在本实用新型所述的并联IGBT峰值过流检测电路中，所述检测信号处理单元还包括第四电阻，且所述第三电阻和第四电阻串联连接在所述检测信号处理单元的输入端的第一端子和第二端子之间。