[实用新型]中子捕获治疗系统

权利要求书

1.一种中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统包括射束整形体、设置于射束整形体内的真空管及至少一个冷却装置，所述射束整形体包括射束入口、容纳所述真空管的容纳腔、邻接于所述容纳腔端部的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体、设置在所述射束整形体内的辐射屏蔽和射束出口，所述真空管端部设有靶材，所述冷却装置用于对靶材进行冷却，所述靶材与自所述射束入口入射的带电粒子束发生核反应以产生中子，所述中子形成中子射束，所述中子射束自射束出口射出并限定一根中子射束轴线，所述缓速体将自所述靶材产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度，所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，所述射束整形体内还设有至少一个容纳所述冷却装置的容纳管道，所述冷却装置与容纳管道的内壁之间填充有填充物。

2.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述填充物为铅合金或铝合金。

3.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述容纳管道位于所述容纳腔的内壁之外。

4.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述冷却装置包括用于冷却靶材的第一冷却部、位于第一冷却部两侧并分别与第一冷却部连通的第二冷却部和第三冷却部；所述容纳管道包括位于靶材与缓速体之间的第一容纳管道及位于第一容纳管道两侧并分别与第一容纳管道连通的第二、第三容纳管道，第一、第二、第三冷却部分别容纳在第一、第二、第三容纳管道内，所述填充物填充在第二冷却部与第二容纳管道的内壁及第三冷却部与第三容纳管道的内壁之间。

5.根据权利要求4所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述第二、第三冷却部为管状结构，所述第二、第三容纳管道设置成沿平行于中子射束轴线方向延伸的横截面为圆形的管道。

6.根据权利要求4所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述第一冷却部位于真空管的端部而与所述靶材平面接触，所述第二冷却部和第三冷却部沿平行于中子射束轴线的方向延伸且分别位于真空管的上下两侧而与第一冷却部形成匚型结构；第二、第三容纳管道沿平行于中子射束轴线的方向延伸且分别位于真空管的上下两侧而与所述第一容纳管道形成匚型结构。

7.根据权利要求4所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述第一冷却部位于真空管的端部而与所述靶材平面接触，所述第二冷却部和第三冷却部与中子射束轴线之间的夹角大于0°小于等于180°；第二、第三容纳管道与中子射束轴线之间的夹角大于0°小于等于180°。

8.根据权利要求4所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述第二冷却部向第一冷却部输入冷却介质，所述第三冷却部将第一冷却部中的冷却介质输出。

9.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述反射体在中子射束轴线的两侧均凸出缓速体，所述真空管包括被反射体包围的延伸段及自延伸段延伸嵌入缓速体的嵌入段，所述靶材设于所述嵌入段的端部。

10.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述缓速体设置成包含至少一个锥状体。