[实用新型]一种基于频率转换的电容传感器接口电路

权利要求书

1.一种基于频率转换的电容传感器接口电路，其特征在于：由基于电容变化的频率调制电路和频率电压转换电路组成；基于电容变化的频率调制电路的输入端形成整个接口电路的输入端，与被测电容C_sen连接；基于电容变化的频率调制电路的输出端连接频率电压转换电路的输入端；频率电压转换电路的输出端形成整个接口电路的输出端V_out；通过基于电容变化的频率调制电路先将被测电容值C_sen转换为频率值，再通过频率电压转换电路将频率值转换为电压值。

2.根据权利要求1所述的一种基于频率转换的电容传感器接口电路，其特征在于：上述基于电容变化的频率调制电路由PMOS管PM₁～PM₂，NMOS管NM₁～NM₅和反相器INV₁组成；

PMOS管PM₁和PM₂的源极和与电源VDD连接；PMOS管PM₁的栅极与漏极、NMOS管NM₁的漏极、NMOS管NM₃的栅极、以及NMOS管NM₃的栅极相连；PMOS管PM₂的栅极与漏极、NMOS管NM₃₁的漏极、NMOS管NM₁的栅极、NMOS管NM₄的栅极、以及反相器INV₁的输入端相连；反相器INV₁的另一端形成基于电容变化的频率调制电路的输出端，与频率电压转换电路的输入端连接；NMOS管NM₁的源极和NMOS管NM₂的漏极相连后，形成基于电容变化的频率调制电路的一个输入端，与被测电容C_sen的一端连接；NMOS管N3的源极和NMOS管NM₂₄的漏极相连后，形成基于电容变化的频率调制电路的另一个输入端，与被测电容C_sen的另一端连接；NMOS管NM₂的源极、NMOS管NM₄的源极、以及NMOS管NM₅的漏极相连；NMOS管NM₅的栅极与外部偏置电压V_b1连接；NMOS管NM₅的源极与地GND相连。