[实用新型]一种新型ITO导电玻璃

说明书

本实用新型公开了一种新型ITO导电玻璃，包括ITO层和设在ITO层下的金属导电膜，其特征在于，所述金属导电膜包括从上往下依次层叠的第一Mo层、第一Al层、第二Mo层、第二Al层和第三Mo层。通过将金属导电膜的Mo层、Al层、Mo层上再镀一层Al层、Mo层，形成MoAlMoAlMo层金属导电膜，可在蚀刻时减轻金属导电膜侧蚀问题，保证金属导电膜的走线线宽，还可减小金属导电膜的电阻，降低功耗，也可降低可靠性过程金属导电膜的腐蚀。

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，更具体地涉及一种新型ITO导电玻璃。

背景技术

随着市场对中小尺寸显示屏的需求越来越大，对其性能提出了更高和更严格的要求，目前市场对低电压、高亮度和低功耗产品尤为青睐。因此降低显示屏功耗，提升亮度作为一个主要目标，而减少金属导电膜上的损耗可作为一项重要的指标，可通过优化金属走线的设计，降低走线电阻来实现。

如图1所示，行业内通过磁控溅射镀膜方法和黄光制程在包含ITO层1’的玻璃基板1’下面制作金属导电膜2’，起辅助ITO电极的作用，主要降低周围引线的电阻，并可降低阴极负载。现有的金属导电膜2’一般包括两个外层Mo层21’和中间Al层22’，其中Mo层21’的作用是为了Al层22’与ITO层1’结合得更好和保护Al层22’。而选择金属导电膜2’的厚度要考虑MoAlMo作为辅助金属，其导电性能要良好，而且在图案制程中容易蚀刻，试验中可考虑改变各层的厚度来测试器件的最终性能表现，优化调整金属导电膜2’的厚度。目前金属导电膜2’第一层Mo层21’厚度控制在400 Å左右，Al层22’厚度控制在3000~6000 Å，第二层Mo层21’厚度控制在800 Å左右，为了降低驱动电流在周边线路上的损耗，面电阻在2 Ω左右。黄光制程中首先在金属导电膜2’上通过Slit Coater（刮涂）涂上光刻胶，然后紫外光下曝光在掩膜Mask下的基板，其中正性胶可以被一定浓度的TMAH显影液溶解洗掉，而将未曝光的部分保留下来，在基板上形成所需要的图案，最后通过Al液蚀刻掉不需要的金属层，形成非显示区内的金属导电膜2’。但是如此做法有个弊端，如图2所示，由于Al的金属活性比其他金属强，在蚀刻过程中Al层22’薄膜侧蚀严重，线宽变窄，其导电电阻由于横截面积变小而变大，最终导致器件的功耗增大，可靠性不通过。因此，如何制作经济性好，可靠性好且满足低功耗的中小尺寸显示屏是本实用新型所要解决的技术问题。

实用新型内容

为了解决所述现有技术的不足，本实用新型提供了一种减轻金属导电膜侧蚀、可靠性好的新型ITO导电玻璃。

本实用新型所要达到的技术效果通过以下方案实现：一种新型ITO导电玻璃，包括ITO层和设在ITO层下的金属导电膜，其特征在于，所述金属导电膜包括从上往下依次层叠的第一Mo层、第一Al层、第二Mo层、第二Al层和第三Mo层。

优选地，所述第二Mo层厚度为100~500 Å。

优选地，所述第一Mo层的厚度为300-1000 Å。

优选地，所述第三Mo层的厚度为200-800 Å。

优选地，所述第一Al层和第二Al层厚度分别控制在1000~4000 Å。

优选地，所述金属导电膜的面电阻为0.05-0.2 Ω。

优选地，所述ITO导电玻璃采用磁控溅射工艺制作。

优选地，所述ITO导电玻璃蚀刻的蚀刻液为硝酸、磷酸和醋酸的混合液。

本实用新型具有以下优点：

通过将金属导电膜的Mo层、Al层、Mo层上再镀一层Al层、Mo层，形成MoAlMoAlMo层金属导电膜，可在蚀刻时减轻金属导电膜侧蚀问题，保证金属导电膜的走线线宽，还可减小金属导电膜的电阻，降低功耗，也可降低可靠性过程金属导电膜的腐蚀。

附图说明