[实用新型]半导体制程用的气体温度调节装置

权利要求书

1.一种半导体制程用的气体温度调节装置，其特征在于，包含有：

一机壳，其外侧具有至少一输入口及至少一输出口，且所述机壳内具有一容置空间；

一温控模块，其设于所述容置空间，所述温控模块具有至少一致冷单元，所述致冷单元一侧设有一散热结构，而所述致冷单元的另一侧组设有一降温结构，所述降温结构内具有至少一流道，所述流道连通所述输入口及所述输出口；及

一中央处理模块，其电性连接所述温控模块，并用于控制所述温控模块的作动；

其中，所述流道供一载体气体流通，而所述中央处理模块控制所述温控模块的作动，以供驱使所述致冷单元对所述降温结构的流道内的载体气体进行降温，所述致冷单元将运作的热能透过所述散热结构进行散热。

2.根据权利要求1所述的半导体制程用的气体温度调节装置，其特征在于，所述机壳外侧还开设有至少一组接口，所述组接口设置有一风扇单元，所述风扇单元电性连接所述中央处理模块。

3.根据权利要求1所述的半导体制程用的气体温度调节装置，其特征在于，所述温控模块包含有多个致冷单元。

4.根据权利要求1所述的半导体制程用的气体温度调节装置，其特征在于，所述致冷单元为致冷芯片。

5.根据权利要求1所述的半导体制程用的气体温度调节装置，其特征在于，所述散热结构由多个散热鳍片所组成。

6.根据权利要求1所述的半导体制程用的气体温度调节装置，其特征在于，所述降温结构具有一降温块，所述降温块的一侧连接所述致冷单元，所述降温块内穿设有所述流道，所述流道的两端分别连接所述输入口及所述输出口。

7.根据权利要求6所述的半导体制程用的气体温度调节装置，其特征在于，所述降温块由金属材质所构成。

8.根据权利要求7所述的半导体制程用的气体温度调节装置，其特征在于，所述降温块由铝材质所构成。

9.根据权利要求1所述的半导体制程用的气体温度调节装置，其特征在于，还包含有一侦测模块，所述侦测模块设于所述机壳内并电性连接所述中央处理模块及所述温控模块，且所述侦测模块具有一警报单元、一气体流量侦测单元及一感测单元。

10.根据权利要求1所述的半导体制程用的气体温度调节装置，其特征在于，所述气体温度调节装置装设于一半导体系统设备中，而所述载体气体为氮气。