[实用新型]电平偏移电路和电子装置

权利要求书

1.一种电平偏移电路，其特征在于，包括：

输入节点；

输出节点，被配置用于耦合至SiC MOSFET的栅极端子；

电容器，被耦合在所述输入节点和所述输出节点之间；

分压器电路，被耦合在所述输入节点与被配置用于耦合至所述SiC MOSFET的源极端子的参考节点之间，所述分压器电路具有分接头节点；以及

第一二极管，具有耦合至所述分接头节点的阳极，以及耦合至所述电容器的端子的阴极。

2.根据权利要求1所述的电平偏移电路，其特征在于，所述电容器的第一端子连接至所述输入节点，所述电容器的第二端子连接至中间节点，以及其中所述第一二极管的所述阴极连接至所述中间节点。

3.根据权利要求2所述的电平偏移电路，其特征在于，进一步包括电阻器，被耦合在所述中间节点与所述输出节点之间。

4.根据权利要求3所述的电平偏移电路，其特征在于，所述电阻器的第一端子连接至所述中间节点，以及所述电阻器的第二端子连接至所述输出节点。

5.根据权利要求1所述的电平偏移电路，其特征在于，所述第一二极管的所述阳极连接至所述分接头节点，以及所述第一二极管的所述阴极连接至所述电容器的所述端子。

6.根据权利要求1所述的电平偏移电路，其特征在于，进一步包括栅极钳位电路，被耦合在所述输出节点与所述参考节点之间，所述栅极钳位电路被配置用于钳位所述SiC MOSFET的栅极至源极电压。

7.根据权利要求6所述的电平偏移电路，其特征在于，所述栅极钳位电路包括：

第二二极管，被耦合在所述输出节点与另一中间节点之间；以及

第三二极管，被耦合在所述另一中间节点与所述参考节点之间；

其中所述第一二极管和所述第二二极管的阳极相互连接。

8.一种电子装置，其特征在于，包括：

电平偏移电路，具有被配置用于接收具有对称的最大电压和最小电压的输入信号的输入端，以及被配置用于提供具有非对称的最大电压和最小电压的输出信号的输出端；以及

SiC MOSFET，具有由所述输出信号驱动的栅极端子。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述电平偏移电路包括：

电容器，被耦合在所述输入端与所述输出端之间；

分压器电路，被耦合在所述输入端与被配置用于耦合至所述SiC MOSFET的源极端子的参考节点之间，所述分压器电路具有分接头节点；以及

第一二极管，具有耦合至所述分接头节点的阳极，以及耦合至所述电容器的端子的阴极。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，所述电容器的第一端子连接至所述输入端，所述电容器的第二端子连接至中间节点，以及其中所述第一二极管的所述阴极连接至所述中间节点。

11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，进一步包括电阻器，被耦合在所述中间节点与所述输出端之间。

12.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，所述电阻器的第一端子连接至所述中间节点，以及所述电阻器的第二端子连接至所述输出端。

13.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，所述第一二极管的所述阳极连接至所述分接头节点，以及所述第一二极管的所述阴极连接至所述电容器的所述端子。

14.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，进一步包括栅极钳位电路，被耦合在所述输出端与所述参考节点之间，所述栅极钳位电路被配置用于钳位所述SiC MOSFET的栅极至源极电压。

15.根据权利要求14所述的电子装置，其特征在于，所述栅极钳位电路包括：

第二二极管，被耦合在所述输出端与另一中间节点之间；以及

第三二极管，被耦合在所述另一中间节点与所述参考节点之间；

其中所述第一二极管和所述第二二极管的阳极相互连接。