[实用新型]一种磁路结构有效
| 申请号： | 201721072641.3 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN207340175U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 谢敏宁 | 申请（专利权）人： | 深圳市三诺数字科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R9/02 | 分类号： | H04R9/02;H04R1/22 |
| 代理公司： | 深圳市世联合知识产权代理有限公司 44385 | 代理人： | 王锴 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区松*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁路 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁路结构，包括U铁、磁钢以及华司，所述华司、所述磁钢由上至下依次连接在所述U铁的内部，其特征在于：所述磁路结构还包括副磁钢；
所述华司的顶面加工有一凹槽，所述副磁钢固定设置在所述凹槽的内部，所述副磁钢的顶面低于所述凹槽的槽口。
2.根据权利要求1所述的磁路结构，其特征在于：依次连接的所述华司、所述磁钢、所述U铁之间以及所述副磁钢与所述华司之间均通过粘接剂固定。
3.根据权利要求1所述的磁路结构，其特征在于：所述U铁、所述磁钢、所述华司以及所述副磁钢均为圆柱体形，且所述磁钢、所述华司以及所述副磁钢的横截面直径小于所述U铁底部的直径。
4.根据权利要求1所述的磁路结构，其特征在于：所述华司的横截面直径大于所述磁钢的横截面直径，所述副磁钢的横截面直径小于所述华司的横截面直径。
5.根据权利要求1所述的磁路结构，其特征在于：所述华司的厚度大于所述磁钢的厚度。
6.根据权利要求1所述的磁路结构，其特征在于：所述凹槽具体为U形槽或V形槽。
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