[实用新型]一种RS485数据接口雷击过电压防护电路有效

专利信息
申请号: 201721070455.6 申请日: 2017-08-25
公开(公告)号: CN207200273U 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 黄林棵;闵龙 申请(专利权)人: 深圳市绍鑫电子有限公司
主分类号: H02H9/06 分类号: H02H9/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 rs485 数据 接口 雷击 过电压 防护 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及防雷电路,特别涉及一种RS485数据接口雷击过电压防护电路。

背景技术

在当今信息通讯高速发展的阶段,自动化监控、安全防护、门禁考勤及工业自动化系统得到迅速普及和应用。在工业控制设备之间中长距离通信的诸多方案中,RS-485系统总线因硬件设计简单、控制方便、成本低廉等优点,广泛应用于工厂自动化、工业控制、小区监控、水利自动测控等领域。

在某些工业控制领域,由于现场情况十分复杂,各个节点之间存在很高的共模电压。虽然RS-485接口采用的是差分传输方式,具有一定的抗共模干扰的能力,但由于RS485总线实行长距离传输(1200米以上),而且其传输线通常暴露于户外,因此极易因为雷击等原因引入过电压。当共模电压超过RS-485接收器的极限接收电压,即大于+12V或小于-7V时,接收器就再也无法正常工作了,严重时甚至会烧毁芯片和仪器设备。

实用新型内容

本实用新型提供一种RS485数据接口雷击过电压防护电路,旨在解决现有RS485数据接口因雷击而容易造成过电压的问题。

本实用新型提供一种RS485数据接口雷击过电压防护电路,包括第一接口线、第二接口线、插座接口、第一气体放电管、第二气体放电管、第一半导体放电管、第二半导体放电管、第三半导体放电管、第一电阻、第二电阻,所述第一接口线和第二接口线的一端连接插座接口,其另一端作为输出接口,所述第一电阻串联在第一接口线上,所述第二电阻串联在第二接口线上,所述第一气体放电管和第二气体放电管串联后并整体并联在第一接口线和第二接口线上,所述第一半导体放电管和第二半导体放电管串联后并整体并联在第一接口线和第二接口线上,第三半导体放电管并联在第一接口线和第二接口线上。

作为本实用新型的进一步改进,包括第一电容(C1)和第二电容(C2),所述第一电容(C1)和第二电容(C2)串联后并整体并联在第一接口线和第二接口线上。

作为本实用新型的进一步改进,所述第一电容(C1)和第二电容(C2)串联并接地。

作为本实用新型的进一步改进,所述第一电容(C1)和第二电容(C2)的容值为22pF~1000pF。

作为本实用新型的进一步改进,所述第一电容(C1)和第二电容(C2)的容值为100pF。

作为本实用新型的进一步改进,所述第一气体放电管(G1)和第二气体放电管(G2)串联并接地,所述第一半导体放电管(D1)和第二半导体放电管(D2)串联并接地。

作为本实用新型的进一步改进,所述第一气体放电管(G1)和第二气体放电管(G2)的击穿电压为300V,通流量为500A。所述第一气体放电管(G1)和第二气体放电管(G2)的型号为KG8300L。

作为本实用新型的进一步改进,包括共模电感(L),所述共模电感(L)并联在第一接口线和第二接口线上并位于输出接口的一端。

作为本实用新型的进一步改进,所述第一半导体放电管(D1)、第二半导体放电管(D2)、第三半导体放电管(D3)的型号为SP0300S B系列。

作为本实用新型的进一步改进,所述第一电阻(R1)、第二电阻(R2)为10Ω1/2W的电阻。

本实用新型的有益效果是:本实用新型的电路设计了两级防护,同时增强了抗干扰能力。通过气体放电管和半导体放电管来泄放共模浪涌能量和泄放差模浪涌能量,从而来避免雷击对RS485数据接口造成的过电压问题。

附图说明

图1是本实用新型一种RS485数据接口雷击过电压防护电路的电路图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。

如图1所示,本实用新型的一种RS485数据接口雷击过电压防护电路,包括第一接口线、第二接口线、插座接口CON10、第一气体放电管G1、第二气体放电管G2、第一半导体放电管D1、第二半导体放电管D2、第三半导体放电管D3、第一电阻R1、第二电阻R2,第一接口线和第二接口线的一端连接插座接口CON10,其另一端作为输出接口,第一电阻R1串联在第一接口线上,第二电阻R2串联在第二接口线上,第一气体放电管G1和第二气体放电管G2串联后并整体并联在第一接口线和第二接口线上,第一半导体放电管D1和第二半导体放电管D2串联后并整体并联在第一接口线和第二接口线上,第三半导体放电管D3并联在第一接口线和第二接口线上。

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