[实用新型]等离子体处理腔室及用于等离子体处理腔室的环有效
| 申请号： | 201721058542.X | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN207637742U | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 艾伦·L·丹布拉;舍什拉伊·L·图尔什巴瓦勒 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体处理腔室 度量 环组件 等离子体 蚀刻 本实用新型 传感器监测 方法和设备 基板支撑件 生成信号 指示设置 磨损 侵蚀 响应 检测 | ||
1.一种用于等离子体处理腔室的环，其特征在于，所述环包括：
主体，所述主体具有顶表面、底表面和内径壁；以及
磨损指示材料，所述磨损指示材料设置在所述主体中，所述磨损指示材料在所述主体的所述顶表面下方间隔开来，所述磨损指示材料不同于构成所述主体的材料。
2.如权利要求1所述的环，其中所述磨损指示材料包括：
圆柱销。
3.如权利要求1所述的环，其中所述磨损指示材料包括：
环形带。
4.如权利要求1所述的环，其中所述磨损指示材料包括：
一反射率，所述反射率不同于所述环的所述主体的反射率。
5.如权利要求1所述的环，其中所述磨损指示材料包括：
一材料，当将所述磨损指示材料和所述主体暴露于等离子体时所述材料发射出的离子不同于从所述主体发射的离子。
6.如权利要求1所述的环，其中所述磨损指示材料是SiO并且所述主体的所述材料是石英。
7.一种等离子体处理腔室，其特征在于，包括：
腔室主体，所述腔室主体具有内部容积；
基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内部容积中；
环，所述环设置在所述基板支撑件上，所述环包括：
主体，所述主体具有顶表面、底表面和内径壁；和
磨损指示材料，所述磨损指示材料设置在所述主体中，所述磨损指示材料在所述主体的所述顶表面下方间隔开来，所述磨损指示材料不同于构成所述主体的材料；以及
一或多个传感器，所述一或多个传感器被定位成与所述环接合，所述一或多个传感器被构造成检测所述磨损指示材料。
8.如权利要求7所述的等离子体处理腔室，其中所述磨损指示材料进一步包括：
SiO材料，当将所述磨损指示材料和所述主体暴露于等离子体时，所述SiO材料发射的离子不同于从由石英材料形成的所述主体发射的离子。
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