[实用新型]用于闪存的电荷泵仿真电路有效

专利信息
申请号: 201721055898.8 申请日: 2017-08-22
公开(公告)号: CN207302050U 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 马亮;张登军;李迪;刁静;刘大海;王晓廉 申请(专利权)人: 合肥博雅半导体有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;H02M3/07
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 代理人: 蔡纯,张靖琳
地址: 230012 安徽省合肥市新站区当涂北路5*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 用于 闪存 电荷 仿真 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电路仿真,更具体地,涉及用于闪存的电荷泵仿真电路。

背景技术

闪存是一种长寿命的非易失性的存储器,在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘。数据删除是以固定的区块为单位而非以单个字节为单位,区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器的变种,闪存与可擦除只读存储器不同的是,可擦除只读存储器是在字节水平上进行删除和重写,而闪存的大部分芯片需要按区块擦除。因为其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的基本程序、个人数字助理、数码相机中保存资料等。

闪存器件实际存储操作的物理机制要求电路提供远高于电源输入电压的工作电压,其操作的物理机制主要包括两种:热电子注入以及FN隧穿效应,这两种操作一般都需要很高的电压去完成。电荷泵电路作为片内的高压产生电路是闪存系统中必不可少的组成部分。电荷泵电路是一种由电容和开关阵列组成的可以在片上集成的DC-DC转换器,可通过电容内部耦合效应产生比外部电源电压更高的电位势。

闪存设计验证过程长、仿真量大,占用大量的计算机资源。分析仿真过程发现,电荷泵电路占据大量的计算资源。而闪存电路中使用了数个电荷泵,电荷泵电路虽然结构简单,电荷泵的工作频率很高普遍在10MHz到1GHz,在对闪存的全局电路进行仿真时,一旦有电荷泵的开启,电荷泵模占用大量的计算资源使仿真速度下降,浪费大量的计算机资源。

因此,期望进一步改进用于闪存的电荷泵的仿真电路和仿真方法,以减少计算量和节省计算机资源。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种用于闪存的电荷泵仿真电路,用于解决现有技术中的问题,实现了对闪存的仿真。根据本实用新型的一方面,提供一种用于闪存的电荷泵仿真电路,包括:电平转移电路,用于根据使能信号和开关信号产生控制信号;以及传输门,用于在所述控制信号的控制下将供电电压转换成输出电压,其中,所述传输门包括依次串联连接在其输入端和输出端之间的第一开关管、电阻和第二开关管,以及连接在所述电阻和所述第二开关管的中间节点和地之间的电容,所述输入端接收所述供电电压,所述输出端提供所述输出电压,所述第一开关管和所述第二开关管的控制端接收所述控制信号。

优选地,所述电容用于模拟所述电荷泵的等效电容,所述电阻用于模拟所述电荷泵的等效电阻。

优选地,所述电荷泵提供正电压,所述第一开关管和所述第二开关管为P型MOS晶体管。

优选地,所述电荷泵提供负电压,所述第一开关管和所述第二开关管为N型MOS晶体管。

根据本实用新型的另一方面,提供一种闪存电路的仿真方法,所述闪存电路包括电荷泵以提供读写电压,所述方法包括:在闪存电路中,采用上述的电荷泵仿真电路替代实际电荷泵电路,已获得闪存仿真电路;根据实际电荷泵电路设置所述电荷泵仿真电路的电路参数;对所述闪存仿真电路进行仿真,以获得所述闪存电路所需的电路参数。

优选地,所述闪存电路包括电荷泵以提供读写电压,所述方法包括:所述电荷泵仿真电路的电路参数包括使能信号、开关信号、供电电压、输出电压的数值和电平状态,以及所述电阻和所述电容的数值。

本实用新型实施例提供的用于闪存的电荷泵仿真电路,该电荷泵仿真电路包括:电平转移电路,用于根据使能信号和开关信号产生控制信号;以及传输门,用于在所述控制信号的控制下将供电电压转换成输出电压,其中,所述传输门包括依次串联连接在其输入端和输出端之间的第一开关管、电阻和第二开关管,以及连接在所述电阻和所述第二开关管的中间节点和地之间的电容,所述输入端接收所述供电电压,所述输出端提供所述输出电压,所述第一开关管和所述第二开关管的控制端接收所述控制信号。该仿真方法包括:步骤1,在闪存电路中,采用上述的电荷泵仿真电路替代实际电荷泵电路,获得闪存仿真电路;步骤2,根据实际电荷泵电路设置所述电荷泵仿真电路的电路参数;步骤3,对所述闪存仿真电路进行仿真,以获得所述闪存电路所需的电路参数。该电荷泵仿真电路减少了开关管的数量,从而降低了电路仿真期间的系统资源占用,以及提高了仿真速度。

与现有技术的电荷泵仿真电路相比,本实用新型的电荷泵仿真电路利用无源元件模拟电荷泵的等效电容和等效电阻,并且减少仿真电路中的有源元件(MOS晶体管)的数量。因此,该仿真电路减少了开关信号的仿真量,降低了闪存电路在仿真过程中对计算资源的占用率。

附图说明

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