[实用新型]一种可调电流的恒流电路有效
申请号: | 201721051415.7 | 申请日: | 2017-08-21 |
公开(公告)号: | CN207198704U | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 谢方清 | 申请(专利权)人: | 广州谐同电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人: | 黄玉珏 |
地址: | 510000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可调 电流 流电 | ||
技术领域
本实用新型涉及硬件电路设计领域,特别涉及一种可调电流的恒流电路。
背景技术
采用恒流供电方式是很多负载的理想供电方式,恒流电路被用作各式各样电子设备的电路的电流供给源,能避免电压的改变而引起电流的变动,从而使负载的工作稳定,在许多领域有着广泛的应用。
传统的充电器恒流电路都是用功率电阻或康铜线等元件做恒流取样检测,即通过人工直接在负载上串联一个电流检测电阻,然后通过检测出电流检测电阻的电压来计算出负载的电流。但是,该方式为人工操作,工作效率低,且电流检测电阻或康铜线具有一定的电阻值,通过电流时会造成很大的功率损耗。
实用新型内容
本实用新型主要解决的技术问题是提供一种可调电流的恒流电路,能够能够提高工作效率,且减少电功率损耗。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是:提供一种可调电流的恒流电路,其包括:负载,与第一电解电容并联设置,且与电流表串联连接;第一电解电容,与负载并联设置,其正极端与电感的一端连接;电感,其一端与第一电解电容的正极端连接;第二电解电容,其正极端与电感的另一端连接,负极端与第一电解电容的负极端连接;晶体管,其第三管脚与电感的另一端连接;电压源,其正极端与晶体管的第二管脚连接,且电压源的负极端与第二电解电容的负极端连接;PWM调节器,其脉冲信号输出端与晶体管的第一管脚连接,以通过PWM调节器输出脉冲信号控制晶体管的导通。
其中,还包括第三电解电容,第三电解电容与电压源并联设置。
其中,还包括电流表,电流表与负载串联连接。
其中,晶体管为NMOS管,晶体管的第一管脚为NMOS管的栅极,晶体管的第二管脚为NMOS管的漏极,晶体管的第三管脚为NMOS管的源极。
其中,晶体管为NPN型三极管,晶体管的第一管脚为NPN型三极管的基极,晶体管的第二管脚为NPN型三极管的集电极,晶体管的第三管脚为NPN型三极管的发射极。
本实用新型的有益效果是:区别于现有技术的情况,本实用新型所公开的可调电流的恒流电路包括:包括:负载;第一电解电容,与负载并联设置;电感,其一端与第一电解电容的正极端连接;第二电解电容,其正极端与电感的另一端连接,负极端与第一电解电容的负极端连接;晶体管,其第三管脚与电感的另一端连接;电压源,其正极端与晶体管的第二管脚连接,且电压源的负极端与第二电解电容的负极端连接;PWM调节器,其脉冲信号输出端与晶体管的第一管脚连接,以通过PWM调节器输出脉冲信号控制晶体管的导通。通过上述方式,本实用新型所公开的可调电流的恒流电路能够改变PWN调节器输出脉冲信号来控制晶体管的导通,从而实现输出恒定电流,大大提高了工作效率,从而省掉电流检测电阻的步骤,减少电功率损耗。
附图说明
图1是本实用新型可调电流的恒流电路的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,图1是本实用新型可调电流的恒流电路的结构示意图。该可调电流的恒流电路包括负载Rf、电感L、第一电解电容C1、第二电解电容C2、第三电解电容C3、晶体管T、电压源VCC和PWM调节器10。
第一电解电容C1与负载Rf并联设置。
应理解,在本实施例中,该恒流电路还包括电流表A,该电流表A串联设置在负载Rf上,以通过电流表A显示负载Rf的电流的大小。
电感L的一端与第一电解电容C1的正极端连接。
第二电解电容C2的正极端与电感L的另一端连接,第二电解电容C2的负极端与第一电解电容C1的负极端连接。
晶体管T的第一管脚与PWM调节器10的脉冲信号输出端连接,晶体管T的第二管脚与电压源VCC的正极端连接,晶体管T的第三管脚与电感L的另一端连接。
应理解,电感L、第一电解电容C1和第二电解电容C2形成π型滤波电路,对整个电路进行滤波。
第三电解电容C3与电压源VCC并联设置,即第三电解电容C3的正极端与晶体管T的第二管脚连接,且电压源VCC的负极端与第二电解电容C2的负极端连接,即第三电解电容C3的负极端与第二电解电容C2的负极端连接。
应理解,第三电解电容C3起到滤波作用,对电压源VCC进行滤波。
在本实施例中,晶体管T为NMOS管,晶体管T的第一管脚为NMOS管的栅极,晶体管T的第二管脚为NMOS管的漏极,晶体管T的第三管脚为所述NMOS管的源极。应理解,晶体管T为金属氮氧化物半导体晶体管。
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