[实用新型]电磁炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路结构技术领域，尤其涉及一种电磁炉。

背景技术

电磁炉由于具有热效率高、无油烟、可移动、方便简洁等特点，应用的越来越广泛。电磁炉的加热原理可简单理解为：驱动电路向开关器件发送一定频率的脉冲信号，使得开关器件在导通与关断间切换。开关器件通常选用绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)。当IGBT导通，谐振电路充电；当IGBT关断，谐振电路放电，产生交变磁场，交变磁场切割放置在电磁炉上的锅具对其进行加热。

目前，最接近的现有技术是申请号为200710030279.8的一种电磁炉的可编程IGBT驱动电路装置，该装置包括可编程IGBT驱动电路控制芯片装置、脉宽调控电路。图1为现有技术中脉宽调控电路的原理图。如图1所示，该脉宽调控电路主要由低功耗双电压比较器LM393、8050型三极管Q2及8550型三极管Q1构成，并搭配电阻R34、R5、R6、R7和电容C4实现，关于各器件的具体连接方式参见图1所示。现有技术的该装置能够对IGBT驱动电路进行全方位监测和精确控制，有利于延长IGBT的使用寿命和简化脉宽调控电路的结构，提高了电磁炉的可靠性。

然而，上述装置中的元器件较多，电路复杂，成本高，因而可能出现电磁炉可靠度低的问题。

实用新型内容

为了解决背景技术中提到的至少一个问题，本实用新型提供一种电磁炉，用于解决现有驱动电路复杂，成本高，电磁炉可靠度低的问题。

本实用新型实施例提供一种电磁炉，包括：IGBT和用于控制所述IGBT开闭的驱动电路，所述驱动电路包括：控制组件和与所述控制组件连接的电流放大电路，其中，所述控制组件包括相互连接的脉冲产生单元和电平转换单元，所述电平转换单元与所述电流放大电路连接；

所述脉冲产生单元用于产生脉冲信号，所述电平转换单元用于根据所述脉冲信号的电平值输出所述IGBT的控制信号，所述电流放大电路用于根据所述IGBT的控制信号控制所述IGBT的开闭。

在本实施例中，IGBT的驱动电路包括控制组件和电流放大电路，相对于现有技术，电路简单，零散的元器件较少，简化了成本，解决电磁炉可靠度低的问题。

在本实用新型的一实施例中，所述控制组件还包括：连接在所述脉冲产生单元和所述电平转换单元之间的反相延时单元；

所述反相延时单元用于控制所述脉冲产生单元输出的脉冲信号的宽度和所述脉冲信号作用于所述电平转换单元的时间，以控制所述电平转换单元输出所述IGBT的控制信号。

在该实施例中，可以利用反相延时单元的反相特性控制脉冲信号的高电平宽度，利用反相延时单元的延时特性控制脉冲信号作用于电平转换单元的时间，即利用反相延时单元的反相特性和延时特性可以自由调整控制组件输出的电平极性，为合理有效控制IGBT的导通或关闭奠定了基础，进而可以保证电磁炉的正常工作。

在本实用新型的上述实施例中，所述控制组件还包括：与所述反相延时单元连接的用户操作区；

所述用户操作区用于接收用户的输入指令以控制所述反相延时单元的工作状态。

在本实施例中，通过该用户操作区可以精确控制经过反相延时单元的脉冲信号的脉冲宽度和脉冲信号作用于电平转换单元的时间，提高了该驱动电路的可靠度。

在本实用新型的上述实施例中，所述控制组件为控制芯片，所述脉冲产生单元、所述电平转换单元、所述反相延时单元和所述用户操作区均集成在所述控制芯片上。

在本实施例中，当控制组件采用控制芯片实现时，可以首先确定脉冲产生单元、电平转换单元、反相延时单元和用户操作区在控制芯片上的布局，并分别将其集成在该控制芯片上，这样能够简化上述驱动电路，减少控制芯片的外围电路，方便电路板设计，可靠度高。

在本实用新型的上述任一实施例中，所述电平转换单元包括：第一三极管，所述第一三极管用于在所述脉冲信号处于高电平时输出所述电流放大电路的基准电压。

本实施例中，由于电平转换单元包括第一三极管，利用第一三极管的放大特性可以在脉冲信号处于高电平时得到电流放大电路的基准电压，也即，IGBT的驱动电压，为驱动IGBT奠定了基础。

在本实施例的上述实施例中，在所述脉冲信号处于高电平时，所述第一三极管处于饱和状态，所述第一三极管的输出电压为0V，在所述脉冲信号处于低电平时，所述第一三极管处于截止状态，所述第一三极管的输出电压等于所述电流放大电路的基准电压。