[实用新型]一种贴片式瞬间抑制二极管芯片有效
申请号: | 201721036314.2 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN207149558U | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 涂振坤 | 申请(专利权)人: | 苏州普罗森美电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215500 江苏省苏州市常熟经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 贴片式 瞬间 抑制 二极管 芯片 | ||
技术领域
本实用新型涉及芯片技术领域,具体为一种贴片式瞬间抑制二极管芯片。
背景技术
芯片,又称微电路、微芯片、集成电路,是指内含集成电路的硅片,体积很小,常常是计算机或其他电子设备的一部分,芯片就是半导体元件产品的统称,是集成电路的载体,由晶圆分割而成,芯片一般是指集成电路的载体,也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果,通常是一个可以立即使用的独立的整体,芯片和集成电路这两个词经常混着使用,比如在大家平常讨论话题中,集成电路设计和芯片设计说的是一个意思,芯片行业、集成电路行业、IC行业往往也是一个意思。
但现有的贴片式瞬间抑制二极管芯片,在二极管两极受到反向瞬态高能量冲击时,其相应时间较长,瞬态控制效率较低,此外,现有的贴片式瞬间抑制二极管芯片安全上存在着隐患,漏电流较高,而且传统的贴片式瞬间抑制二极管芯片对电压的控制较弱,由于控制不足等问题,现有的贴片式瞬间抑制二极管芯片容易因超负荷等因素而损坏,使用寿命较短,而且其控制能力会随着使用期的延长而降低,最终无法有效的保护器件。
所以,如何设计一种贴片式瞬间抑制二极管芯片,成为我们当前要解决的问题。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种贴片式瞬间抑制二极管芯片,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:包括集成电路板和二极管芯片,所述二极管芯片设置于所述集成电路板上,且所述二极管芯片的侧面分别设有阴极数据存储器和阳极数据存储器,所述阴极数据存储器和阳极数据存储器均与所述二极管芯片信号连接,所述集成电路板顶部设有阴极电流数据收集器,所述阴极电流数据收集器嵌入设置于所述集成电路板内,所述阴极电流数据收集器与所述二极管芯片信号连接,所述集成电路板侧面的顶部设有阳极电流数据收集器,所述阳极电流数据收集器嵌入设置于所述集成电路板内,所述阳极电流数据收集器与所述二极管芯片信号连接,所述二极管芯片由处理模块、中断控制模块、指令模块、存储模块、复位控制模块和计算模块组成,所述中断控制模块、指令模块、存储模块、复位控制模块和计算模块均与所述处理模块信号连接,所述存储模块包括独立存储单元,所述独立存储单元与所述存储模块信号连接,所述计算模块包括计数单元。
进一步的,所述二极管芯片侧面设有总线,所述总线与所述二极管芯片信号连接。
进一步的,所述集成电路板顶部设有线路保护器,所述线路保护器嵌入设置于所述集成电路板内,且所述线路保护器与所述集成电路板电性连接。
进一步的,所述计算模块包括换元单元,所述换元单元与所述计算模块信号连接。
进一步的,所述存储模块包括指令存储单元。
进一步的,所述指令存储单元与所述存储模块信号连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该种贴片式瞬间抑制二极管芯片,功能更丰富,使用效果更好,与传统的贴片式瞬间抑制二极管芯片相比,该二极管芯片的响应时间快,而且瞬态控制力强,在二极管两极受到反向高能量冲击时,能够迅速做出反应,保护器件,而且该二极管芯片更加耐用,无损坏极限,该种贴片式瞬间抑制二极管芯片极大的增强了安全性,可靠性较强,具有广阔的市场前景和应用前景。
附图说明
图1是本实用新型的整体结构示意图;
图2是本实用新型的模块图图;
图中:1-二极管芯片;2-阴极数据存储器;3-阳极数据存储器;4-总线;5-集成电路板;6-阴极电流数据收集器;7-阳极电流数据收集器;8-线路保护器;9-处理模块;10-中断控制模块;11-指令模块;12-存储模块;13-复位控制模块;14-计算模块;15-计数单元;16-换元单元;17-独立存储模块;18-指令存储单元。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的