[实用新型]一种手机TF和SIM卡共卡槽防烧卡电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种保护电路，具体是一种手机TF和SIM卡共卡槽防烧卡电路。

背景技术

LTE智能手机产品设计中射频物料随射频频段和模式的增加而占用更多的主板面积。就必须减少其他物料的体积来确保在有限的主板面积内的射频性能，目前主流设计是使用SIM卡和SD卡共卡槽的三选二卡座，结构上面做成一张SIM卡放在里面，另外一张SIM卡或SD卡在外面的一体卡座，由于这种卡座在结构设计的时候未考虑到插拔过程中有短路事件发生，会出现低概率的短路烧卡现象。目前的解决方案是外加一个LDO，通过CPU检测卡座触发中断信号来控制LDO的开关。

但是，手机作为一个便携式设备，希望其功耗越小越好，成本和面积越优越好。通过CPU检测方案需要在软件中消耗不必要的CPU资源，增加一个高性能的LDO器件在硬件上面浪费了PMU里面高效率的DCDC芯片从而增加电池负担和增加设备的成本。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种手机TF和SIM卡共卡槽防烧卡电路，以解决背景技术中提到的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种手机TF和SIM卡共卡槽防烧卡电路，包括卡槽电路和电源开关电路，所述卡槽电路包括芯片J1和卡槽，电源开关电路包括电阻R3、MOS管Q2和MOS管Q1，芯片J1的接口T1连接卡槽、电阻R3和MOS管Q2的源极，卡槽的另一端连接芯片J1的接口T2和地，MOS管Q2的栅极连接电阻R2，电阻R3的另一端连接电源VDD，电阻R2的另一端连接电源VDD，MOS管Q2的漏极连接电阻R1和MOS管Q1的栅极，MOS管Q1的源极连接电阻R1的另一端和电容C1，MOS管Q1的漏极连接电容C2，电容C1的另一端接地，电容C2的另一端接地。

作为本实用新型的进一步技术方案：所述MOS管Q1为PMOS管，MOS管Q2为NMOS管。

作为本实用新型的进一步技术方案：所述芯片J1的型号为CAF00-20147-0301。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型能够通过硬件方式及时快速打开和关闭T卡电源来解决三选二卡座烧卡问题。相比现有方案可以降低功耗，优化主板面积和主板成本，提高了整个系统的性能。

附图说明

图1为电源开关电路图。

图2为卡槽电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，一种手机TF和SIM卡共卡槽防烧卡电路，包括卡槽电路和电源开关电路，所述卡槽电路包括芯片J1和卡槽，电源开关电路包括电阻R3、MOS管Q2和MOS管Q1，芯片J1的接口T1连接卡槽、电阻R3和MOS管Q2的源极，卡槽的另一端连接芯片J1的接口T2和地，MOS管Q2的栅极连接电阻R2，电阻R3的另一端连接电源VDD，电阻R2的另一端连接电源VDD，MOS管Q2的漏极连接电阻R1和MOS管Q1的栅极，MOS管Q1的源极连接电阻R1的另一端和电容C1，MOS管Q1的漏极连接电容C2，电容C1的另一端接地，电容C2的另一端接地。

MOS管Q1为PMOS管，MOS管Q2为NMOS管。芯片J1的型号为CAF00-20147-0301。

本实用新型的工作原理是：本设计使用一个PMOS+NMOS做一个硬件判断电源开关，当卡托未插入卡槽时TF_DET被10K（R3）电阻拉高成高电平(VDD1V85)，NMOS(Q2)关闭从而导致PMOS(Q1)也是关闭的，这个时候电源开关处于关闭状态；当卡托插入卡槽时,卡槽（J1）的T1和T2短接（见图2），导致TF_DET低电平接主板地，NMOS(Q2)导通从而导致PMOS(Q1)也是导通的，此时电源开关处于打开状态，PMU为T卡供电；当卡托拔出卡槽时，卡槽（J1）的T1和T2断路，TF_DET又被10K（R3）电阻拉高成高电平(VDD1V85)，NMOS(Q2)关闭从而导致PMOS(Q1)也是关闭的，这个时候电源开关处于关闭状态。