[实用新型]一种手机主板

说明书

技术领域

本实用新型涉及通信技术领域，具体是一种手机主板。

背景技术

对于射频信号，在主板上的传导线需要做阻抗控制。以保证较小的插入损耗，和较小的反射系数。目前所有的手机主板中，单端射频线的阻抗都控制在50Ω，射频IC的端口的输出阻抗也都控制在50Ω左右。对于10层板的4G项目，国内的PCB厂家在控制阻抗线的时候，选择以1.9GHz为中心频点，在主板的内层最适合射频走线的Layer L4层或者是L6层，射频阻抗线的线宽控制为2.25mil，误差为±0.4mil。

于目前主板厚度为0.8mm的10层板，内层射频阻抗线的阻抗控制在50Ω主要有以下三个缺陷：1、受到PCB板厂的工艺限制，PCB的走线宽度不能低于2mil，走线到达这个极限后，PCB的信号线易断，主板的不良率偏高。2、板厂的PCB走线的宽度误差为±0.4mil，对于1.GHz的频率，会造成阻抗的误差为±10％，频率越高阻抗的精确度越差。3、阻抗线越细，插入损耗越大，对于内层长为10cm的50Ω的阻抗线，平均插损为1.5db，FDD B1来说，功率相差1db，电流就相差50mA-100mA，功率越大电流越大，对于智能机来说，功耗大，电池的使用时间就会变短。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种手机主板，以解决背景技术中提到的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种手机主板，包括阻抗线R1、输入电路和输出电路，所述输入电路包括电感L103、电容C113和电容C188，输出电路包括电感L1和电容C1，电容C188的一端连接电感L103和电容C113，电容C113的另一端连接阻抗线R1，阻抗线R1的另一端连接电感L1，电感L1的另一端连接电容C1，所述阻抗线R1的阻值为40Ω。

作为本实用新型的进一步技术方案：所述电容C1的另一端接地，电感L103的另一端接地。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过合理的提升线宽，减小射频信号的插入损耗，减小射频工作电流，优化射频性能，提升电池的使用时间。

附图说明

图1为本实用新型的电路图。

图2为40Ω和50Ω阻抗线的性能对比图。

图3为频段为2.6GHz时的匹配仿真图；

图4为700MHz处的匹配仿真图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-4，一种手机主板，包括阻抗线R1、输入电路和输出电路，所述输入电路包括电感L103、电容C113和电容C188，输出电路包括电感L1和电容C1，电容C188的一端连接电感L103和电容C113，电容C113的另一端连接阻抗线R1，阻抗线R1的另一端连接电感L1，电感L1的另一端连接电容C1，所述阻抗线R1的阻值为40Ω。

电容C1的另一端接地，电感L103的另一端接地。

本实用新型的工作原理是：本实用新型与传统的50Ω阻抗线的性能对比，如图2所示，单根长度为30mm的阻抗线的性能对比，粗线为40Ω阻抗线使用40Ω的源端和负载，细线为50Ω阻抗线使用50Ω的源端和负载。对于频率范围700MHz到2.6GHz，单根阻抗线来看，40Ω的性能全面优于50Ω，40Ω阻抗线的S11参数小于50Ω，S21参数要大于50Ω，阻抗线的长度越长，这个优势会越明显。本发明的匹配电路的设计如图1所示，对于不同的频段，所需要的匹配是不同的的，例如，LTE B7的频率范围为2.5GHz到2.69GHz，LTE B20的频率范围是从791MHz到832MHz，这两个频段所需要的匹配就完全不同。

图3是在频段为2.6GHz处算出匹配后，仿真得到S11和S21，从图中可以看出，在2.6GHz处40Ω的阻抗线的性能全面优于50Ω，而且在带外抑制也好于50Ω。在50欧姆的射频系统中，2.6GHz处的40Ω和50Ω阻抗线，加上匹配后的S11和S21的数据对比，粗线为40Ω，细线为50Ω。

同样设计出在700MHz处的匹配，然后仿真结果如图4所示，结果也可以看出，40Ω的性能全面优于50Ω，在50Ω的射频系统中，700MHz处的40Ω和50Ω阻抗线，加上匹配后的S11和S21的数据对比，粗线为40Ω，细线为50Ω。