[实用新型]GaN半导体器件有效
| 申请号： | 201721026156.2 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN207381406U | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 金荣善;金峻渊;李尚俊;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑彤;万志香 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan 半导体器件 | ||
1.一种GaN半导体器件，其特征在于，包括：
基板；
设置于所述基板上的晶种层；
设置于所述晶种层上的缓冲层；
设置于所述缓冲层上的氮化镓层；
设置于所述氮化镓层上的AlxGa1-xN层；
设置于所述AlxGa1-xN层上的氮化铝层；
设置于所述氮化铝层上的p-GaN层。
2.根据权利要求1所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述p-GaN层、所述氮化铝层以及所述AlxGa1-xN层中Al的含量依次递增。
3.根据权利要求1所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述氮化铝层与所述p-GaN层之间还设有氮化铝镓层。
4.根据权利要求3所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述p-GaN层、所述氮化铝层、所述氮化铝镓层以及所述AlxGa1-xN层中Al的含量依次递增。
5.根据权利要求4所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述氮化铝镓层的厚度为3nm～50nm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述晶种层的材质为氮化铝、氮化镓或氮化铝镓。
7.根据权利要求1-5任一项所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述缓冲层的材质为氮化铝、氮化镓或氮化铝镓。
8.根据权利要求1-5任一项所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述氮化镓层为碳沉积氮化镓层、非掺杂氮化镓层或复合层，所述复合层为多层交互层叠的碳沉积氮化镓层和非掺杂氮化镓层。
9.根据权利要求1-5任一项所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述晶种层的厚度为0.5um～10um；所述缓冲层的厚度为0.1um～1um；所述AlxGa1-xN层的厚度为1nm～10nm；所述p-GaN层的厚度为40nm～150nm。
10.一种半导体装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的GaN半导体器件。
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