[实用新型]一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构有效
申请号: | 201721026005.7 | 申请日: | 2017-08-16 |
公开(公告)号: | CN207265035U | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 凤瑞 | 申请(专利权)人: | 北方电子研究院安徽有限公司 |
主分类号: | H01L23/043 | 分类号: | H01L23/043;H01L23/31;B81B7/02 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人: | 耿英,董建林 |
地址: | 233040*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 中心 支撑 悬浮 mems 芯片 封装 结构 | ||
1.一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构,其特征是,MEMS芯片的硅衬底粘胶或键合固定在陶瓷管壳腔体底面,硅衬底被刻蚀成仅由一中心支撑结构支撑与陶瓷管壳腔体连接。
2.根据权利要求1所述的一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构,其特征是,MEMS芯片的下电极固定在二氧化硅隔离层上,二氧化硅隔离层固定在硅衬底上;MEMS芯片的上电极通过中心锚点结构支撑悬浮在下电极上方。
3.根据权利要求2所述的一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构,其特征是,硅帽键合在上电极所在的硅电极层上,将上电极与下电极密封在MEMS电容传感器的腔体内。
4.根据权利要求1所述的一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构,其特征是,所述MEMS芯片的硅衬底通过中心支撑结构和辅助支撑结构粘胶或键合固定在陶瓷管壳腔体底面。
5.根据权利要求4所述的一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构,其特征是,在所述硅衬底上设置中心支撑结构和辅助支撑结构图形,利用中心支撑结构和辅助支撑结构图形作为掩膜,刻蚀形成设定深度的中心支撑结构和辅助支撑结构,通过中心支撑结构和辅助支撑结构粘胶或键合固定在陶瓷管壳腔体底面。
6.根据权利要求4所述的一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构,其特征是,辅助支撑结构环绕设置在中心支撑结构的周围。
7.根据权利要求4所述的一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构,其特征是,辅助支撑结构以中心支撑结构为中心,呈中心对称结构排列。
8.根据权利要求5所述的一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构,其特征是,中心支撑结构图形的面积大于辅助支撑结构图形的面积。
9.根据权利要求5所述的一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构,其特征是,中心支撑结构图形为圆型或多边形;
辅助支撑结构图形为环绕设置在中心支撑结构图形周围的圆形、多边形或环形。
10.根据权利要求4或5所述的一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构,其特征是,MEMS芯片固定在陶瓷管壳腔体后,刻蚀去除辅助支撑结构,同时保留部分中心支撑结构不被刻蚀,使硅衬底被刻蚀成仅由部分中心支撑结构支撑与陶瓷管壳腔体连接。
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