[实用新型]八分段背电极单晶硅太阳能电池有效
申请号: | 201721008690.0 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN207165582U | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 董波;彭平;夏中高;顾鹏 | 申请(专利权)人: | 平煤隆基新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/042 |
代理公司: | 郑州科维专利代理有限公司41102 | 代理人: | 王年年 |
地址: | 452670 河南省许*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分段 电极 单晶硅 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制备技术领域,尤其涉及一种光转化率高,焊接稳定的八分段背电极单晶硅太阳能电池。
背景技术
丝网印刷是制作太阳电池电极的工序,其原理是利用丝网图形部分网孔透浆料, 非图形部分网孔不透浆料的基本原理进行印刷。浆料经过烘干、烧结后与硅片形成了良好 的欧姆接触,就制成了太阳电池的电极。因而,丝网图形的形状对太阳电池电流的收集、发 电功率的输出起着重要的作用。
太阳电池发电的原理是利用 p-n 结的光生伏特效应产生能量转换,太阳电池在太 阳的照射下,p-n 结附近形成了光生电场,将光能转换成了电能,再通过太阳电池表面的电 极将电能传输出来,电池表面的电极正是通过网版图形才将银浆材料印刷上去并经过烘干 烧结后制成的。
太阳电池背面印刷的材料有铝浆和银浆,铝浆的作用是钝化太阳电池的背面 P 区,形成 P+/P 高低结,银浆的作用类似于导线,起到导电和焊接的作用 ;现有技术中的太阳 能电池背面网版电极的设计不够合理,其电极均为长方形结构,这种结构使得银电极的面 积较大,铝浆区域面积减小,导致太阳能电池的转换效率较低,电极收集电流的能力较低, 市场竞争力低,而且,银浆的使用量较大,生产成本高,此外,若铝浆区域面积小,则会影响 对红光的吸收,少子的寿命会降低,不可取。
申请号为201320722698.9的实用新型申请公开了一种降低成本提高转化 效率的单晶硅太阳能电池背面网版,包括背面网版、印刷边缘和硅片边缘,所述印刷边缘位于所述背面网版的内侧,所述硅片边缘位于所述背面网版的外侧,在所述背面网版的版面上纵向焊接若干段电极,每段所述电极由若干电极单体组成,背面网版电极分隔成若干段电极单体,减少银电极面积的同时增加了铝背场的面积,少子的寿命就会提高, 网版对红外线的吸收就会增强,其转换效率就能 得到最大化提高,同时保证了银浆良好的焊接性能,经过测试分段的背电极单耗降低了40%-50%,附着力在 2N 以上,但依然较低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中的不足,提供一种八分段背电极单晶硅太阳能电池。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种八分段背电极单晶硅太阳能电池,包括四条主栅,每条主栅由八条间隔均匀的分段组成,所述任一分段的两端设置为圆弧型,所述任一分段侧面与硅片之间连接有若干边线。
进一步地,所述任一分段的长度为8-9mm、宽度为1.5-2.5mm。
进一步地,所述主栅距硅片顶部距离为8-9mm。
进一步地,所述同一主栅的相邻两根分段之间的间歇为8-10mm。
进一步地,所述任一主栅的的宽度为1.5-2.5mm。
进一步地,所述边线的宽度为0.1-0.2mm、长度为0.5-0.8mm。
本实用新型的有益效果在于:每条主栅线由8分段组成,和正面电极八段设计相对应,降低焊接应力,降低碎片率;背电极的每个分段都有若干边线,加强背电极与背场的接触。
附图说明
图1为实施例1结构图示意图;
图2为分段结构图示意图;
其中:1-硅片,2-分段,3-边线。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本实用新型的技术方案进行说明。
实施例1
如图1-2所示的八分段背电极单晶硅太阳能电池,包括焊接在硅片1上的相互平行的四根主栅,任一主栅1的的宽度为2.2mm,每条主栅由八条间隔均匀的分段2组成,任一分段2的两端设置为圆弧型,增加附着力,任一分段的长度为8.5mm,相邻两根分段之间的间歇为10mm,任一分段2侧面与硅片1之间连接有8-10根边线3,边线3的宽度为0.1mm、长度为0.5mm,加强背电极与背场的接触。
本实施例有效的增强了背电极和基片之间的接触,将Rs由2.23mΩ降低为2.15mΩ,填充因子FF提高0.11左右,电池的光电转换效率提升0.02%以上,具有很高的推广效果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的