[实用新型]一种电磁吸收超材料有效
申请号: | 201721007696.6 | 申请日: | 2017-08-11 |
公开(公告)号: | CN207490105U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 李铁;余爱生;李伟;王跃林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00;G02B5/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 邓琪 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁吸收 超材料 电介质 复合薄膜 叠加 本实用新型 固态电介质 介质薄膜 上表面 谐振单元阵列 最小折射率 表面晶格 氮化硅 氟化镁 可控的 折射率 自氧化 氧化铝 共振 薄膜 调制 灵活 | ||
1.一种电磁吸收超材料,其上表面处于工作环境中,包括周期性谐振单元阵列(23),其特征在于,所述电磁吸收超材料(2)上表面设有一层电介质复合薄膜(3),该电介质复合薄膜(3)为多层不同材料的固态电介质层按不同厚度比例的叠加。
2.根据权利要求1所述的电磁吸收超材料,其特征在于,所述电介质复合薄膜(3)通过使用半导体薄膜工艺,在电磁吸收超材料表面沉积。
3.根据权利要求2所述的电磁吸收超材料,其特征在于,所述半导体薄膜工艺包括CVD、PVD或ALD。
4.根据权利要求1所述的电磁吸收超材料,其特征在于,所述电介质复合薄膜(3)对该电磁吸收超材料(2)的表面晶格共振位置和对SLR强度予以调制。
5.根据权利要求4所述的电磁吸收超材料,其特征在于,所述电介质复合薄膜(3)对该电磁吸收超材料(2)的强度调制包括使SLR的位置向短波处移动或者SLR强度减弱,为将所述电介质复合薄膜(3)的等效折射率设置为小于工作环境折射率。
6.根据权利要求4所述的电磁吸收超材料,其特征在于,所述电介质复合薄膜(3)对该电磁吸收超材料(2)的强度调制包括使SLR的位置向长波处移动或者SLR强度增强,为将所述电介质复合薄膜(3)的等效折射率设置为大于工作环境折射率。
7.根据权利要求5或6所述的电磁吸收超材料,其特征在于,所述电介质复合薄膜(3)的等效折射率neff为:
其中,N为电介质复合薄膜(3)的层数,ni为第i层介质折射率,hi为第i层介质厚度,h为复合膜总厚度。
8.根据权利要求5或6所述的电磁吸收超材料,其特征在于,所述电介质复合薄膜(3)的薄膜厚度或电介质复合薄膜(3)的等效折射率与工作环境折射率的差距与调制效果成正比,而与实现相同调制效果所需的膜厚成反比。
9.根据权利要求1所述的电磁吸收超材料,其特征在于,所述周期性谐振单元阵列(23)的谐振单元为基于LSPR或LC谐振的谐振单元。
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