[实用新型]一种应用于贴片二极管框架的过炉焊接治具有效
| 申请号: | 201720997240.2 | 申请日: | 2017-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN206976288U | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
| 发明(设计)人: | 孔凡伟;朱坤恒;王福龙 | 申请(专利权)人: | 山东晶导微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L21/68 |
| 代理公司: | 济宁汇景知识产权代理事务所(普通合伙)37254 | 代理人: | 徐国印 |
| 地址: | 273100 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 应用于 二极管 框架 焊接 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种应用于贴片二极管框架的过炉焊接治具。
背景技术
传统的半导体二极管焊接方式主要采取碳板压合方式进行。碳板包括载板和盖板。在载板上放置框架A和框架B,框架A和框架B的位置是通过碳板上的定位销对其定位,然后合好框架A和框架B后在载板上盖一张盖板,使框架A和框架B紧密贴合。传统碳板在焊接时,碳板包裹框架,不利于锡膏中的助焊剂挥发,造成芯片和框架之间的锡膏层出现空洞,影响器件的质量。并且传统的碳板载具都很厚重,加热碳板需要大量的能源,在加热过程中能源利用率低,能源浪费严重。在转移过程中,碳板与碳板之间没有相连接装置,碳板容易滑落,运输不便。
发明内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种结构简单,实用性强,且极大地提高焊接质量的应用于贴片二极管框架的过炉焊接治具。
本实用新型采用以下技术方案实现的:所述的应用于贴片二极管框架的过炉焊接治具,包括载板和合金压片,其特征在于所述合金压片包括2个纵筋,所述纵筋之间设置有预设数量的横筋,纵筋上设置有预设数量的定位孔,所述载板上设置有与合金压片的大小相适配的凹槽,所述凹槽内的前后两侧均设置有圆柱形凸起,所述圆柱形凸起的大小和形状与定位孔的大小和形状相适配,所述凹槽内部设置有预设数量的矩形槽,载板的底部设置有预设数量的盲孔,所述盲孔内设置有耐高温磁铁,所述耐高温磁铁的形状与盲孔的形状相适配,耐高温磁铁的下方设置有耐高温胶水,所述耐高温胶水设置在盲孔的端口处。
进一步地,所述合金压片的材质采用能被耐高温磁铁吸引的磁性材料。
进一步地,所述矩形槽的形状与二级管框架的框架单元的形状相适配。
进一步地,所述盲孔和矩形槽错开设置,盲孔的位置设置在纵筋的位置的正下方。
与现有技术相比,本实用新型的有益之处是:合金压片的设置,保证使用时合金压片只覆盖二极管框架的纵筋和横筋,不包裹元器件,使得锡膏中的助焊剂挥发的更加完全,提高元器件焊接质量,降低空洞率,提升产品良率,同时载板和合金压片之间由于耐高温磁铁的吸引,减少运输途中二极管框架从治具中滑落,实用性强;载板和合金压片的厚度及结构大大简化,减轻治具的重量,节省治具升温所需的能源;定位孔及圆柱形凸起的设置,能够实现快速有效地定位,可靠性高。
附图说明
本实用新型一种应用于贴片二极管框架的过炉焊接治具将结合附图作进一步详细描述。
附图1是本实用新型的载板结构示意图;
附图2是本实用新型的合金压片结构示意图;
附图3是本实用新型的装配后的局部剖视结构示意图。
附图中,1、载板,11、凹槽,12、圆柱形凸起,13、矩形槽,14、盲孔,2、合金压片,21、纵筋,22、横筋,23、定位孔,3、耐高温磁铁,4、耐高温胶水,5、框架A,6、框架B。
具体实施方式
结合附图1、附图2和附图3 对本实用新型进一步详细描述,以便公众更好地掌握本实用新型的实施方法,本实用新型具体的实施方案为:
所述的应用于贴片二极管框架的过炉焊接治具,包括载板1和合金压片2,其特征在于所述合金压片2包括2个纵筋21,所述纵筋21之间设置有预设数量的横筋22,纵筋21上设置有预设数量的定位孔23,所述载板1上设置有与合金压片2大小相适配的凹槽11,所述凹槽11内的前后两侧均设置有圆柱形凸起12,所述圆柱形凸起12的大小和形状与定位孔23的大小和形状相适配,所述凹槽11内部设置有预设数量的矩形槽13,载板1的底部设置有预设数量的盲孔14,所述盲孔14内设置有耐高温磁铁3,所述耐高温磁铁3的形状与盲孔14的形状相适配,耐高温磁铁3的下方设置有耐高温胶水4,所述耐高温胶水4设置在盲孔14的端口处。
进一步地,所述合金压片2的材质采用能被耐高温磁铁3吸引的磁性材料。
进一步地,所述矩形槽13的形状与二级管框架的框架单元的形状相适配。
进一步地,在于所述盲孔14和矩形槽13错开设置,盲孔14的位置设置在纵筋21的位置的正下方,保证耐高温磁铁3能够有效地吸引合金压板2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





