[实用新型]一种石英基座及物理气相沉积设备有效
| 申请号： | 201720995561.9 | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN207068834U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 罗灿 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石英 基座 及物 理气 沉积 设备 | ||
1.一种石英基座，适用于物理气相沉积设备的反应腔内，所述石英基座设置于所述反应腔的底部，其特征在于，所述石英基座包括：
基座本体，用于放置待处理的晶圆；
至少三个长条形的安装腔，成放射状沿所述基座本体周向均布，每个所述安装腔的延长线相交于所述基座本体的中心；
每个所述安装腔包括一安装入口，所述安装入口设置于所述基座本体的上表面；
于每个所述安装腔内分别设置一碳棒，所述碳棒通过对应的所述安装入口设置于所述安装腔内。
2.如权利要求1所述的石英基座，其特征在于，每个所述安装腔包括：
凹槽，设置于基座本体内，所述凹槽位于所述安装腔朝向所述基座本体的中心的一端，所述凹槽的开口朝向基座本体的上表面；
盲孔，水平设置于所述基座本体内并连接所述凹槽，所述盲孔的开口位于所述凹槽背向所述基座本体的中心的侧壁上；
所述凹槽作为所述安装腔的安装入口。
3.如权利要求2所述的石英基座，其特征在于，所述盲孔的开口位于所述凹槽背向所述基座本体的中心的侧壁的底部。
4.如权利要求2所述的石英基座，其特征在于，所述凹槽的长度大于盲孔的长度。
5.如权利要求1所述的石英基座，其特征在于，于所述基座本体的上表面的边缘处设置一环形的台阶，待处理的晶圆设置于所述台阶上。
6.如权利要求5所述的石英基座，其特征在于，还包括一圆形的石英基板，设置于所述台阶内并覆盖所述基座本体的上表面。
7.如权利要求6所述的石英基座，其特征在于，所述石英基板的厚度与所述台阶的高度相等。
8.如权利要求1所述的石英基座，其特征在于，包括三个所述安装腔。
9.一种物理气相沉积设备，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一所述的石英基座。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720995561.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种非触式硅片抓取机构
- 下一篇：一种高强度抗弯曲的封装基板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
