[实用新型]半导体硅环循环清洗槽

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体蚀刻技术领域，具体涉及一种半导体硅环循环清洗槽。

背景技术

半导体的蚀刻即是将半导体浸入蚀刻液中清除器表面附着的不需要的物质，保证其洁净纯度，现有的蚀刻装置中，针对呈圆盘或环状的半导体硅环，通常是将硅环挂在一般的工装上，再放到蚀刻槽里静止浸泡在蚀刻液中，这样硅环各部分因为受到的蚀刻液的压力作用不同，则清洗作用也不同，这样就会造成环产品表面蚀刻不均匀，从而降低产品的良品率；

除此之外，因为用于蚀刻的清洗蚀刻液都是特殊的化学液体，传统的设备中，当清洗槽内的液体清洗至一定程度后，被污染不能继续使用，需要将液体单独收集出来经过其他的处理工序之后，再倒入清洗槽中使用，或者直接倒掉更换新的，这样就增加了生产成本，或者妨碍清洗蚀刻的正常工作，降低了清洗蚀刻效率。

实用新型内容

为解决以上技术问题，本实用新型提供了一种半导体硅环循环清洗槽，提供蚀刻清洗液的利用率，减少更换清洗液的占用时间，提供清洗蚀刻效率。

为实现上述目的，本实用新型技术方案如下：

一种半导体硅环循环清洗槽，其关键在于：包括清洗槽和储液箱，所述清洗槽的上部敞口，清洗槽和储液箱之间设有循环过滤器和连通阀，所述连通阀的一端与清洗槽连通，另一端与储液箱连通，所述清洗槽内的液体可通过连通阀进入储液箱内；

所述循环过滤器的泵入口与储液箱连通，其出口端与清洗槽连通，储液箱内液体可通过循环过滤器进入清洗槽内。

采用以上方案，通过当清洗槽内液体过多或受到污染不能继续使用时则刻通过连通阀进入储液箱内，然后再由循环过滤器过滤之后又泵入清洗槽中继续使用，从而提高蚀刻清洗液的使用率，同时减少更换清洗液的时间，有利于提高蚀刻清洗的效率，以及降低生产成本。

作为优选：所述储液箱靠近上部的位置设有注液口，靠近下部的位置设有排出阀。采用以上结构，有利于实现快速对清洗蚀刻液的补充以及排除，且不会妨碍清洗蚀刻过程，提高效率。

作为优选：所述清洗槽侧壁靠近上部的位置设有溢出孔。采用以上结构，避免清洗槽内的液体过多之后，从其上端敞口处无节制的溢出，污染外部环境，而从溢出孔一个位置流出，则方便处理收集。

作为优选：所述清洗槽内设有用于在蚀刻过程中保持半导体硅环在清洗槽内旋转的支撑驱动机构，所述支撑驱动机构包括至少三根平行设置的支撑轴，以及驱动至少其中一根支撑轴转动的驱动电机，各支撑轴在清洗槽内呈三角形或圆弧形分布。采用以上结构，通过支撑轴对半导体硅环实现支撑，同时依靠支撑轴的转动来带动半导体硅环转动，确保半导体硅环蚀刻清洗的均匀性，提高良品率，结构简单，易于实现。

作为优选：所述支撑轴上沿其长度方向分布有环槽，且各支撑轴上的环槽正对设置。采用以上结构，可对半导体硅环进行轴向限位，确保其在转动过程的稳定性，防止偏斜碰撞损坏，环槽可直接在支撑轴上加工而成，而不用引入更多的零部件来做为限位结构，降低生产制造成本，以及加工难度。

作为优选：所述支撑驱动机构还包括两个对称设置于支撑轴两端的安装板，所述支撑轴为三根，水平设置在清洗槽内，所述驱动电机安装在清洗槽的一侧，三根支撑轴呈三角形分布，其中靠近清洗槽底部的一根支撑轴与驱动电机连接。采用以上结构，通过三根支撑轴形成三角形的支撑结构，半导体硅环放入后与三根支撑轴后类似三角形的内接圆的形状与三根支撑轴抵接，而其重量主要由靠近清洗槽底壁的支撑轴承受，则设计驱动电机驱动这根支撑轴转动，能更好的保证半导体硅环随动的稳定性，减少打滑而停止转动的概率，进一步提高装置的可靠性。

作为优选：所述安装板对应两根未与驱动电机相连的支撑轴端部的位置均设有滑槽，两根所述支撑轴两端分别贯穿滑槽，并可沿所述滑槽滑动，所述支撑轴贯穿滑槽的端部均设有锁紧螺母。采用以上结构，这样可以调节三根支撑轴所形成的支撑三角形的大小，从而适应不同大小的半导体硅环，进一步提高了装置的适用性，且调节到位之后，可通过锁紧螺母进行锁定，保证了其调节后的稳定性。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

采用本实用新型提供的半导体硅环循环清洗槽，在蚀刻清洗过程中，通过循环过滤器以及连通阀结构的配合，实现对清洗槽内清洗蚀刻液重复多次利用以及质量改善，而不会妨碍正常的清洗蚀刻进行，提高清洗液的使用率，降低生产成本，同时提高了清洗蚀刻效率，同时还可提高半导体硅环表面清洗蚀刻的均匀性，提高产品的良品率。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；