[实用新型]一种反激式AC‑DC电源嵌位电路

说明书

本实用新型涉及反激式电源技术领域，具体涉及一种反激式AC-DC电源嵌位电路。

背景技术

反激式AC-DC电源的工作原理是在电源导通期间将能量储存在变压器中，在关断期间再将这些能量传递到输出。反激式变压器由一个磁芯上的两个或多个耦合绕组构成，激磁能量在被传递到次级之前，一直储存在磁芯的串联气隙间。实际上，绕组之间的耦合从不会达到完美匹配，并且不是所有的能量都通过该气隙进行传递。少量的能源储存在绕组内和绕组之间，这部分能量被称为变压器漏感。开关断开后，漏感能量不会传递到次级，而是在变压器初级绕组和开关之间产生高压尖峰。此外，还会在断开的开关和初级绕组的等效电容与变压器的漏感之间，产生高频振铃。如果漏感引起的高压尖峰超过开关器件MOSFET的击穿电压，就会导致其雪崩击穿，引起破坏性故障。此外，漏极节点的高幅振铃还会产生大量EMI噪声。

发明内容

为克服所述不足，本实用新型的目的在于提供一种反激式AC-DC电源嵌位电路，有效降低反激式AC-DC电源的漏感尖峰电压，降低开关MOSFET的电压应力有效保护主开关，降低高频震荡引起的EMI问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种反激式AC-DC电源嵌位电路，包括输入整流电路、嵌位电路、变压器、开关MOSFET,所述变压器包括初级绕组、次级绕组、励磁电感、漏感绕组，所述初级绕组与励磁电感并联，初级绕组的与漏感绕组串联后与嵌位电路并联，漏感电阻绕组远离初级绕组一端与开关MOSFET相连。

具体地，所述嵌位电路包括电容C1、电阻R1、缓冲二极管D1，电容C1与电阻R1并联后与缓冲二极管D1串联。

具体地，所述次级绕组的一端与次级二极管串联，次级二极管主要起输出整流作用。

本实用新型具有以下有益效果：有效降低反激式AC-DC电源的漏感尖峰电压，降低开关MOSFET的电压应力有效保护主开关，降低高频震荡引起的EMI问题。

附图说明

图1为本实用新型的电路图。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。

如图1所示的一种反激式AC-DC电源嵌位电路，包括输入整流电路、嵌位电路、变压器、开关MOSFET,所述变压器包括初级绕组、次级绕组、励磁电感、漏感绕组，所述初级绕组与励磁电感并联，初级绕组的与漏感绕组串联后与嵌位电路并联，漏感电阻远离初级绕组一端与开关MOSFET相连。

具体地，所述嵌位电路包括电容C1、电阻R1、缓冲二极管D1，电容C1与电阻R1并联后与缓冲二极管D1串联。

具体地，所述次级绕组的一端与次级二极管串联，次级二极管主要起输出整流作用。

现有技术中嵌位电路用于将MOSFET上的最大电压控制到特定值，一旦MOSFET电压达到阈值，所有额外的漏感能量都会转移到嵌位电路慢慢耗散。其主要缺点是会耗散功率并降低效率。

而本实用新型作所采用嵌位电路设计可有效地平衡效率和EMI产生量。其工作原理是开关MOSFET关断后，次级二极管立即保持反向偏置，励磁电流对漏极电容充电，当初级绕组电压达到由变压器匝数所定义的反射输出电压(VOR)时，次级二极管关断，励磁能量传递到次级；漏感能量继续对变压器和漏极电容充电，直到初级绕组电压等于嵌位电容电压，将由于变压器漏电感L_lk与开关MOSFET的输出电容C_OSS之间的谐振产生的过高电压压制到一个可接受的电平，保护主开关电路；当漏源电压Vds超过Vin+nVout(n为变压器初级绕组跟次侧绕组的匝比)时，嵌位电路通过导通缓冲二极管D1吸收漏电感中的电流；当MOSFET关断并且漏源电压(Vds)被充电至Vin+nVout时，初级电流通过缓冲二极管D1流至电容C1，同时，次级二极管导通。

本实用新型不局限于所述实施方式，任何人应得知在本实用新型的启示下作出的结构变化，凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案，均落入本实用新型的保护范围之内。

本实用新型未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。