[实用新型]相变储能均热片

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子设备芯片处理技术领域，尤其涉及一种相变储能均热片。

背景技术

目前，为了解决电子设备中芯片运行一些程序时的瞬间功率增大，芯片温度急剧升高而超温(超过芯片最高温度)的问题，经常采用芯片降频、系统抑制/停止其他部分工作的处理办法。然而，现有的处理方法都会降低产品的性能，严重影响用户体验。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，提供一种降低芯片瞬间温升幅度的同时保证芯片性能的相变储能均热片。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种相变储能均热片，包括均热层、设置在所述均热层上的相变储能层；所述均热层上界定出一个安装用于热源的安装位，所述相变储能层位于所述安装位的外围。

优选地，所述相变储能层设置在所述均热层的一个表面上。

优选地，所述安装位与所述相变储能层在所述均热层上位于同一侧或不同侧。

优选地，所述相变储能层设置在所述均热层相对的两个表面上；所述安装位位于所述均热层的任一个表面上。

优选地，所述均热层为铜、铝和/或石墨层。

优选地，所述相变储能层包括多个相变储能件，多个所述相变储能件在所述均热层上间隔分布。

优选地，所述相变储能件包括相变储能材料以及包裹在所述相变储能材料外的外膜。

优选地，所述相变储能件为相变温度30-90℃的相变储能件。

本实用新型的有益效果：将均热和相变储能相结合，均热部分能迅速的将芯片等热源的热量传递给相变储能部分(相变温度30-90℃)，相变储能部分通过相变吸热存储热量，降低芯片瞬间温升幅度，保证芯片正常工作。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是本实用新型第一实施例的相变储能均热片的结构示意图；

图2是本实用新型第二实施例的相变储能均热片的结构示意图；

图3是本实用新型第三实施例的相变储能均热片的结构示意图；

图4是本实用新型的相变储能均热片的仿真测试曲线对比图。

具体实施方式

为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本实用新型的具体实施方式。

如图1所示，本实用新型第一实施例的相变储能均热片，包括均热层10、设置在均热层10上的相变储能层20；均热层10上界定出一个安装用于热源30的安装位11，相变储能层20位于安装位11的外围。

热源包括芯片、热管等元件。当热源产生热量后，热量如图1中箭头所示传递给均热层10，再通过均热层10传递给相变储能层20，从而迅速的分散热源的热量，降低其瞬间温升幅度，保证其正常工作。

均热层10的导热系数＞200w/(k*m)，可以为铜层、铝层、石墨层或上述几种的组合。

作为选择，相变储能层20可以设置在均热层10的一个表面上；相变储能层20也可以设置在均热层10相对的两个表面上。

本实施例中，相变储能层20设置在均热层10的一个表面上。相变储能层20与安装位11在均热层10上位于同一侧。

进一步地，相变储能层20包括多个相变储能件21，多个相变储能件21在均热层10上间隔分布。相变储能件21的相变温度为30-90℃。

其中，相变储能件21的形状不限，可以是圆形、多边形、长条形等形状。每一个相变储能件21均包括相变储能材料以及包裹在相变储能材料外的外膜。相变储能材料为高分子材料与石蜡等组分混合制成的复合物。外膜可采用PET或PI等耐高温且具有一定强度的材料制成。

如图2所示，本实用新型第二实施例的相变储能均热片，包括均热层10、设置在均热层10上的相变储能层20；均热层10上界定出一个安装用于热源30的安装位11，相变储能层20位于安装位11的外围。

相变储能层20设置在均热层10的一个表面上。与上述第一实施例不同的是：相变储能层20与安装位11在均热层10上位于不同侧。

如图3所示，本实用新型第三实施例的相变储能均热片，包括均热层10、设置在均热层10上的相变储能层20；均热层10上界定出一个安装用于热源30的安装位11，相变储能层20位于安装位11的外围。

本实施例中，相变储能层20设置在均热层10的相对两个表面上。安装位11位于均热层10的任一个表面上。

将本实用新型的相变储能均热片进行仿真测试，如下：