[实用新型]一种沟槽栅IGBT有效
| 申请号： | 201720982042.9 | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN207038529U | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 肖婷;何昌;史波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt | ||
1.一种沟槽栅IGBT，其特征在于，包括：
沟槽栅衬底结构，所述沟槽栅衬底结构包括漂移区和位于所述漂移区一表面的基区，以及，多个第一沟槽栅和多个第二沟槽栅贯穿所述基区延伸至所述漂移区，所述第一沟槽栅包括有第一接触区；
位于所述沟槽栅衬底结构表面的隔离层，其中，所述隔离层覆盖所述第一沟槽栅和第二沟槽栅，且所述隔离层对应所述第一接触区为镂空区域；
及，位于所述隔离层背离所述沟槽栅衬底结构一侧的发射极金属层，其中，所述镂空区域被所述发射极金属层所填充。
2.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述第一沟槽栅和第二沟槽栅两侧、且位于所述基区内均设置有第一源极区和第二源极区，相邻两沟槽栅之间包括有第二接触区，所述第二接触区覆盖相邻两源极区之间区域、且延伸覆盖至所述相邻两源极区内；
其中，所述镂空区域包括所述第二接触区对应所述隔离层的区域。
3.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述第一沟槽栅和第二沟槽栅均包括：
沿沟槽的内壁形成的栅氧化层；
及，位于所述栅氧化层朝向所述隔离层一侧、且填充在所述沟槽内的栅层；
其中，所述第一接触区位于所述栅层内。
4.根据权利要求3所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述栅层为多晶硅层。
5.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述第一沟槽栅和第二沟槽栅交替排列，且所述第二沟槽栅位于相邻两所述第一沟槽栅之间。
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