[实用新型]一种三态门单元电路装置

权利要求书

1.一种三态门单元电路装置，其包括电压源模块，其特征在于，其还包括顺序连接的EN控制电压输入口模块、电压比较器控制电路模块、CMOS控制电路模块和反向信号输出模块，所述CMOS控制电路模块通过三端稳压管模块连接所述电压源模块，所述电压比较器控制电路模块、所述CMOS控制电路模块之间的设置有反向信号输入模块，所述电压比较器控制电路模块连接所述电压源模块；所述电压源模块包括24V直流电压源，所述24V直流电压源连接电容C1一端、三端稳压管模块、电压比较器控制电路模块，所述电容C1另一端接地；所述三端稳压管模块包括三端稳压管，24V直流电压源连接所述三端稳压管的第三管脚，所述三端稳压管的第一管脚连接并联电容C3、R6的一端，所述并联电容C3、R6的另一端接地，所述三端稳压管的第二管脚连接电容C2一端和所述CMOS控制电路模块，所述电容C2另一端接地；所述CMOS控制电路模块包括集成电路IC1、IC2，所述集成电路IC1的第五管脚连接电容C7后连接所述反向信号输入，所述集成电路IC1的第六管脚连接电阻R1一端，所述电阻R1另一端连接所述稳压管的地二管脚、电阻R3一端，所述电阻R3另一端连接所述集成电路IC2的第六管脚，所述集成电路IC2的第五管脚连接电容C8后连接反向信号输出，所述集成电路IC2的第二管脚接地，所述集成电路IC1的第三管脚与所述集成电路IC2的第一管脚之间通过电容和电阻连接构成衰减电路，所述集成电路IC1的第一管脚与所述集成电路IC2的第三管脚之间通过电容和电阻连接构成耦合电路，所述集成电路IC1的第四管脚连接电阻R2一端，所述电阻R2另一端连接所述电压比较器控制电路模块，所述集成电路IC2的第四管脚连接电阻R4一端，所述电阻R4另一端连接所述电压比较器控制电路模块；所述电压比较器控制电路模块包括比较器V1、V2、V3、V4，所述比较器V1的第三端口连接电阻R8一端、电阻R7一端、所述EN控制电压输入口，所述电阻R8另一端连接所述24V直流电压源，所述电阻R7另一端接地，所述比较器V1的第二端口连接所述比较器V1的第一端口、所述比较器V4的第十二端口、所述比较器V3的第十端口，所述比较器V4的第十三端口连接电阻R10一端、电阻R11一端，所述电阻R10另一端与电阻R9一端连接后连接所述24V直流电压源，所述电阻R9另一端连接所述比较器V2的第六端口、电阻R13一端，所述电阻R11另一端连接所述比较器V3的第九端口、电阻R12一端，所述电阻R12另一端接地，所述比较器V3的第八端口连接所述比较器V2的第五端口，所述比较器V2的第七端口连接二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极连接所述电阻R4的另一端，所述比较器V2的第七端口连接二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极连接所述电阻R4的另一端，所述比较器V4的第十四端口连接所述电阻R13的另一端、二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极连接所述电阻R2另一端。

2.根据权利要求1所述的一种三态门单元电路装置，其特征在于，所述衰减电路具体连接方式为：所述集成电路IC1的第三管脚连接电容C5一端，电容C5另一端连接电阻R14一端、电阻R15一端，所述电阻R14另一端连接电阻R16一端、电容C6一端，所述电阻R15另一端与所述电阻R16另一端接地，所述电容C6另一端连接所述集成电路IC2的第一管脚。

3.根据权利要求2所述的一种三态门单元电路装置，其特征在于，所述耦合电路具体连接方式为：所述集成电路IC1的第一管脚连接电容C9后分别连接电容C10一端、电阻R17一端，所述电阻R17另一端分别连接地和所述集成电路IC1的第二管脚，所述电容C10另一端连接所述集成电路IC2的第三管脚。

4.根据权利要求3所述的一种三态门单元电路装置，其特征在于，所述三端稳压管型号为1117M3，所述集成电路IC1和所述集成电路IC2的型号均为PE4283，所述比较器V1、V2、V3、V4的型号均为LM324。