[实用新型]存储器有效
申请号: | 201720976827.5 | 申请日: | 2017-08-07 |
公开(公告)号: | CN207458942U | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | V·拉纳 | 申请(专利权)人: | 意法半导体国际有限公司 |
主分类号: | H01L27/11517 | 分类号: | H01L27/11517;H01L27/11526;H01L27/11563;H01L27/11592 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 虚拟单元 位线 位线组 源极线 存储器单元 存储器 存储器操作模式 本实用新型 存储器阵列 耦合 致动 | ||
1.一种存储器,其特征在于,包括:
存储器阵列,所述存储器阵列包括多个行和列,所述存储器阵列包括存储器部分和虚拟部分,所述存储器部分包括存储器单元,所述虚拟部分包括虚拟单元;
多条位线,所述存储器阵列的每一列有一条位线,每条位线连接至所述列内的所述存储器单元;
其中,所述虚拟部分包括:
第一行虚拟单元,其中,所述第一行中的虚拟单元与所述多条位线的第一位线组的相应位线具有第一连接以及与第一源极线的第二连接;以及
第二行虚拟单元,其中,所述第二行中的虚拟单元与所述多条位线的第二位线组的相应位线具有第一连接并且与第二源极线具有第二连接。
2.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,
所述第一行虚拟单元包括第一多个虚拟单元对,所述第一多个虚拟单元对中的每个虚拟单元对与所述多条位线的所述第一位线组的所述相应位线具有共用连接,并且其中,所述第一多个虚拟单元对中的相邻虚拟单元对共享与所述第一源极线的共用连接;并且
所述第二行虚拟单元包括第二多个虚拟单元对,所述第二多个虚拟单元对中的每个虚拟单元对与所述多条位线的所述第二位线组的所述相应位线具有共用连接,并且其中,所述第二多个虚拟单元对中的相邻虚拟单元对共享与所述第二源极线的共用连接。
3.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,进一步包括控制电路,所述控制电路被配置用于根据存储器操作模式将可选参考电压施加到所述第一和第二源极线。
4.如权利要求3所述的存储器,其特征在于,当所述存储器在运行读取存储器操作模式时,由所述控制电路施加到所述第一和第二源极线两者上的所述可选参考电压是接地电压。
5.如权利要求4所述的存储器,其特征在于,进一步包括:
列解码器,所述列解码器被配置用于选择性地连接所述多条位线的所述第一位线组,以便从连接至所述第一位线组的位线上的第一存储器单元组中进行读取;以及
所述控制电路,所述控制电路进一步被配置用于选择性地致动所述第二行虚拟单元内的所述虚拟单元以将所述多条位线的所述第二位线组连接至所述接地电压,以便通过所述多条位线的所述第二位线组将所述接地电压施加到所述第一存储器单元组。
6.如权利要求4所述的存储器,其特征在于,进一步包括:
列解码器,所述列解码器被配置用于选择性地连接所述多条位线的所述第二位线组,以便从连接至所述第二位线组的位线上的第二存储器单元组中进行读取;以及
所述控制电路,所述控制电路进一步被配置用于选择性地致动所述第一行虚拟单元内的所述虚拟单元以将所述多条位线的所述第一位线组连接至所述接地电压,以便通过所述多条位线的所述第一位线组将所述接地电压施加到所述第二存储器单元组。
7.如权利要求3所述的存储器,其特征在于,当所述存储器在运行软编程存储器操作模式时,由所述控制电路施加到所述第一和第二源极线两者的所述可选参考电压是接地电压。
8.如权利要求7所述的存储器,其特征在于,进一步包括:
列解码器,所述列解码器被配置用于选择性地将所述多条位线与列解码信号断开连接;以及
所述控制电路,所述控制电路进一步被配置用于选择性地致动所述第一和第二行虚拟单元内的所述虚拟单元以将所述多条位线的所述第一和第二位线组连接至所述接地电压,以便将所述接地电压施加到所述存储器阵列的所述存储器部分的所述存储器单元。
9.如权利要求3所述的存储器,其特征在于,当所述存储器在运行模式编程存储器操作模式时,由所述控制电路施加到所述第一源极线的所述可选参考电压是第一编程电压,并且由所述控制电路施加到所述第二源极线的所述可选参考电压是不同于所述第一编程电压的第二编程电压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的