[实用新型]一种温度检测系统

权利要求书

1.一种温度检测系统，其特征在于：所述检测系统包括可调基准电压及恒流源驱动电路、三线制Pt100A铂电阻接口电路、温度补偿放大电路、压控滤波电路和A/D转换器；所述可调基准电压及恒流源驱动电路分别电连接所述三线制Pt100A铂电阻接口电路和A/D转换器，所述三线制Pt100A铂电阻接口电路电连接所述温度补偿放大电路，所述温度补偿放大电路电连接所述压控滤波电路，所述压控滤波电路电连接所述A/D转换器。

2.如权利要求1所述的温度检测系统，其特征在于：所述可调基准电压及恒流源驱动电路是由电阻R1～R6、三极管Q1～Q2、MOS场效应管M1～M5、运算放大器OP1～OP2连接组成；所述三极管Q1～Q2采用PNP型三极管；

所述MOS场效应管M1的漏极和衬底连接电源VDD，栅极连接所述运算放大器OP1的输出端，源极依次串接所述电阻R3和R1并连接至所述三极管Q1的发射极；所述三极管Q1的基极和集电极接地；所述MOS场效应管M2的漏极和衬底连接电源VDD，栅极连接所述运算放大器OP1的输出端，源极连接所述电阻R2并通过所述电阻R2连接至所述三极管Q2的发射极；所述三极管Q2的基极和集电极接地；所述运算放大器OP1的同相输入端连接于所述电阻R1与电阻R3之间，反相输入端连接于所述三极管Q2的发射极；所述MOS场效应管M3和M4的漏极和衬底均连接电源VDD，所述MOS场效应管M3的栅极与所述MOS场效应管M4的栅极相连，所述MOS场效应管M5的漏极分别连接所述MOS场效应管M3的源极和栅极，所述MOS场效应管M5的栅极连接所述运算放大器OP2的输出端，所述MOS场效应管M5的源极依次串接所述电阻R4、R5和R6并接地，所述MOS场效应管M5的衬底接地。

3.如权利要求2所述的温度检测系统，其特征在于：所述三线制Pt100A铂电阻接口电路是由电阻R7～R13、铂电阻Pt、运算放大器OP3、电容C1组成；

所述电阻R7一端连接所述运算放大器OP3的同相输入端，另一端依次连接所述铂电阻Pt和电阻R9并接地；所述电阻R8一端连接于所述电阻R7与铂电阻Pt之间，另一端连接所述电阻R10并通过所述电阻R10连接所述运算放大器OP3的反相输入端；所述电阻R12一端连接所述运算放大器OP3的输出端，另一端连接所述电阻R13并通过所述电阻R13接地；所述电阻R11一端连接所述运算放大器OP3的反相输入端，另一端连接于所述电阻R12与电阻R13之间；所述电容C1一端连接所述运算放大器OP3的反相输入端，另一端连接所述运算放大器OP3的输出端；

所述MOS场效应管M4的源极连接于所述电阻R8与电阻R10之间。

4.如权利要求1所述的温度检测系统，其特征在于：所述温度补偿放大电路是由电阻R14～R18、电容C2～C3、运算放大器OP4组成；

所述电阻R14一端连接所述运算放大器OP3的输出端，另一端连接所述电容C3并通过所述电容C3连接至所述运算放大器OP4的同相输入端；所述电阻R16一端连接所述运算放大器OP4的同相输入端，另一端接地；所述电容C2一端接地，另一端依次串接所述电阻R15和R17并连接至所述运算放大器OP4的反相输入端；所述电阻R18一端接地，另一端连接所述运算放大器OP4的反相输入端；所述运算放大器OP4的输出端连接所述A/D转换器。