[实用新型]低噪式片状三端子电容器

说明书

技术领域

本实用新型涉及电容器技术领域，具体涉及低噪式片状三端子电容器。

背景技术

随着集成电路运行速度的增加，相关的开关噪声也相应增加。然而开关噪声可能对集成电路的性能产生非常有害的影响。在具有模拟和数字电路的混合系统中，由数字电路产生的开关噪声也可能对模拟电路产生不利影响。在许多情况下，减少混合系统中数字电路对模拟电路的影响对于系统设计者来说是一个非常具有挑战性的问题。

分立电容通常用于集成电路的局部电源去耦，以减少开关噪声。但是，目前的电容方法和结构不足以减少集成电路上的噪声，特别是比较高的工作频率下。

用于降低开关噪声的现有技术是在相关联的电压引脚之间使用去耦电容器。通过使电感最小化而使电源和接地端子之间存在的电路的电容最大化，可以降低电路的开关噪声。分立电容器通常用作去耦电容器。

使用分立电容器有许多固有的局限性，分立电容器是不可避免地使用外部引线的两端器件，这些引线的电阻和电感会对电容器的高频阻抗产生下限。此外，分立电容器的自谐振限制了可以衰减电阻的有用带宽。由于分立电容器必须与半导体芯片安装一定距离，所以它通过多个电力布线或大功率总线耦合到电压引脚，这些电源布线或大功率总线通常代表高感应路径，这增加了有效电感电路。随着在多条布线中流动的电流量的增加，跨越导线的电压产生增加额外的配电噪声的电压降。因此需要一种减少开关噪声的改进的电容器结构。

实用新型内容

为了解决现有技术中的问题，本实用新型提供一种能够减少开关噪声的低噪式片状三端子电容器。

实现本实用新型目的的技术方案为：

低噪式片状三端子电容器，包括第一组端子和第二组端子，第一组端子包括正输入端和负输入端；第二组端子包括正输出端和负输出端；所述正输入端和正输出端之间耦合有第一电极组件；所述负输入端和负输出端之间耦合有第二电极组件。

所述第一电极组件和第二电极组件为第一膜电极层和第二膜电极层。

所述第一膜电极层和第二膜电极层分别包括至少一个膜电极。

所述第一膜电极层和第二膜电极层之间设有膜介电材料层。

本实用新型的有益效果为：

与用于降低噪声用的典型的两端子电容器相比，本实用新型的三端子电容器结构大大改进，因为三端子电容器结构提供了在给定的电容器上利用多个连接端子的能力。三端子电容器限定了正输入端、正输出端和公共负输入/输出端或负输入端、负输出端和公共正输入/输出端。在去耦过程中，输入端为系统直流电源的正极性和共极性提供耦合点，输出端为系统中接收直流电的本地子组件提供耦合点。

附图说明

图1为本实用新型实施例中低噪式片状三端子电容器的电路原理图；

图2为本实用新型实施例中低噪式片状三端子电容器的封装结构示意图。

具体实施方式

图1-图2用以解释本实用新型，但本实用新型不限于图1-图2所示的范围内。

如图1所示，低噪式片状三端子电容器的电路原理图，本实用新型的低噪式片状三端子电容器，包括第一组端子和第二组端子，第一组端子包括正输入端和负输入端；第二组端子包括正输出端和负输出端；所述正输入端和正输出端之间耦合有第一电极组件；所述负输入端和负输出端之间耦合有第二电极组件。

所述正输入端和正输出端共用一个端子，为公共正输入/输出端；或所述负输入端和负输出端共用一个端子为公共负输入/输出端。

所述第一电极组件和第二电极组件为第一膜电极层和第二膜电极层。

所述第一膜电极层和第二膜电极层分别包括多个膜电极。

所述第一膜电极层和第二膜电极层之间设有膜介电材料层。

如图2所示，低噪式片状三端子电容器包括由绝缘层2覆盖在常规衬底1上，绝缘层由二氧化硅或其他适合的绝缘体材料，衬底由硅或其他合适材料制备而成。绝缘层的顶部覆盖有由任何合适金属如镍、铂或钯制备的底部电极层6，底部电极层的表面积小于绝缘层的表面积，从而使绝缘层的一部分表面积露出。在底部电极层上方为中间电极层/电介质层的连续对。阴影标识部分为电极层8，非阴影标识部分为电介质层5。在上中间层的上方是顶层电极层和电介质层。每个连续层的表面积小于其相邻下面的层的表面积，从而使每层都有一部分暴露。从顶层电极层和电介质层逐级向下形成台阶式结构。在台阶式结构中，成对的电极层和电介质层从上到下逐渐变大，使得每个下层的顶表面大于其上方的每个层的底表面，并且在所有水平方向上横向延伸超过其上的相邻层。