[实用新型]阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示的技术领域，特别涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器发展越来越迅速，已经成为主流的平板显示器。从出现至今，薄膜晶体管液晶显示器已经发展出多个种类，其驱动模式和显示效果不尽相同，各有所长。

其中，平面转换(In-Plane Switching，IPS)模式的薄膜晶体管显示装置 (包含IPS模式的阵列基板)以其特有的结构特点和驱动原理，表现出了优良的显示能力和效果。液晶分子在平行于玻璃基板的面内，在梳状电极间施加电压后，使液晶分子在面内发生转动，引起双折射来控制光的透过率。图1 为现有技术中第1对比例的阵列基板的截面结构示意图。请参阅图1，IPS显示模式的像素电极11和公共电极12设置在同一侧，以形成平面电场，这种模式开口率低，光的透过率低。

图2为现有技术中第2对比例的阵列基板的截面结构示意图。请参阅图2， IPS的FFS(Fringe Field Switching)架构是包括顶层条状像素电极11和底层面状公共电极12和介于顶层条状像素电极11和底层面状公共电极12之间的绝缘层13，通过TFT基板上的顶层条状像素电极11和底层面状公共电极12之间产生的边缘电场，使电极之间及电极正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上发生转动的技术，相应的电光学原理与IPS架构的原理基本相似。FFS 架构用于产生边缘电场的特殊结构，使得FFS架构传承IPS宽视野角的同时，还有更高的透过率。相比于IPS架构，FFS架构不需另外设置存储电容，提高开口率。

图3为现有技术中第3对比例的阵列基板的截面结构示意图。请参阅图3， IPS的paper架构是其中的绝缘层13中设有凹陷部和凸起部，凹陷部中设置有像素电极11和公共电极12中的一个，凸起部上设置有像素电极11和公共电极12 中的另一个，利用将绝缘层13图案化，将梳状的像素电极11和公共电极12设置在不同的垂直位置上，可获得较高透过率。

以上现有架构主要考虑了将IPS架构中像素电极和公共电极作为两个整体，变换它们的相对位置，从而达到提高透过率目的。但是，并没有对像素电极的子像素电极细分考虑提高IPS的透过率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种阵列基板及制作方法和显示装置，将像素电极进行了更仔细的划分，对同一个像素中，透过率贡献不同的中心位置像素电极和边缘位置像素电极进行区分，通过改变架构，大幅提升透过率贡献相对较低的边缘位置像素电极，小幅提升中心位置像素电极，使各处像素电极的透过率更均衡且均获得一定提升。

一种阵列基板，包括衬底，在衬底上形成有空间垂直交叉的扫描线和数据线，扫描线和数据线限定出像素区域，像素区域内设有像素电极，像素电极包括中心位置像素电极条和边缘位置像素电极条，中心位置像素电极条在垂直方向上高于边缘位置像素电极条。

进一步地，中心位置像素电极条和边缘位置像素电极条的高度差为 0.1～0.5μm。

进一步地，像素区域内还设有公共电极，公共电极包括公共电极条，像素电极和公共电极为一次构图的梳状电极。

进一步地，公共电极条和边缘位置像素电极条的高度在垂直方向上相等。

进一步地，公共电极条的高度在垂直方向上小于边缘位置像素电极条的高度。

进一步地，公共电极条的高度在垂直方向上大于边缘位置像素电极条的高度。

进一步地，像素区域内还设有绝缘层，绝缘层设置在像素电极和公共电极的下方，中心位置像素电极条下的绝缘层的厚度大于边缘位置像素电极条的绝缘层的厚度。

进一步地，绝缘层为多次构图成型的绝缘层。

进一步地，绝缘层为一次构图成型的绝缘层。

本实用新型还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。

本实用新型的有益效果是：中心位置像素电极条在垂直方向上高于边缘位置像素电极条，使得大幅提升透过率贡献相对较低的边缘位置像素电极，小幅提升中心位置像素电极，使各处像素电极的透过率更均衡且均获得一定提升。

附图说明

图1为现有技术中第1对比例的阵列基板的截面结构示意图。

图2为现有技术中第2对比例的阵列基板的截面结构示意图。

图3为现有技术中第3对比例的阵列基板的截面结构示意图。

图4为本实用新型优选的阵列基板的平面结构示意图。