[实用新型]一种充电保护电路有效

专利信息
申请号: 201720957866.0 申请日: 2017-08-02
公开(公告)号: CN207251245U 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 黄子恺;李高;杨秋平;潘俊树 申请(专利权)人: 硕诺科技(深圳)有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 深圳市康弘知识产权代理有限公司44247 代理人: 吴敏,孙洁敏
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 充电 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种充电保护电路,包括:USB电源端口、充电IC端口、连接在所述USB电源端口和充电IC端口之间的保护电路,其特征在于,所述保护电路分为一级保护电路、二级保护电路及三级保护电路;

所述一级保护电路由瞬态抑制二极管构成,所述瞬态抑制二极管的负极连接至所述USB电源端口、正极接地;

所述二级保护电路由PNP三极管、第一电容、稳压管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第二电容及第一PMOS管构成,所述PNP三极管的发射极连接至所述USB电源端口、集电极串联所述第三电阻接地,所述第一电容的正极连接至所述PNP三极管的基极、负极接地,所述稳压管的负极连接至所述PNP三极管的基极、正极串联所述第一电阻接地,所述第二电阻的一端连接至所述USB电源端口、另一端串联所述第三电阻接地,所述第二电容的正极连接至所述USB电源端口、负极串联所述第三电阻接地,所述第一PMOS管的漏极连接至所述USB电源端口、栅极串联所述第三电阻接地;

所述三级保护电路由第二PMOS管和第四电阻构成,所述第二PMOS管的漏极连接至所述充电IC端口、栅极串联所述第四电阻接地,所述第二PMOS管的源极和所述第一PMOS管的源极相连。

2.如权利要求1所述的充电保护电路,其特征在于,所述第一PMOS管和第二PMOS管的导通电阻均小于或等于50 mΩ。

3.如权利要求2所述的充电保护电路,其特征在于,所述第一PMOS管和第二PMOS管的耐压值大于或等于20V。

4.如权利要求1所述的充电保护电路,其特征在于,所述瞬态抑制二极管的反向击穿电压大于充电器耐压值的1.1倍。

5.如权利要求1所述的充电保护电路,其特征在于,所述稳压管的反向击穿电压大于充电器标准电压的0.1倍。

6.如权利要求1所述的充电保护电路,其特征在于,所述第一电容的电容量范围为100pF~2000pF。

7.如权利要求1所述的充电保护电路,其特征在于,所述第一电阻的阻值范围为1 kΩ~10 kΩ。

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