[实用新型]基于单模‑多模‑单模光纤结构的磁场强度检测传感器有效
| 申请号： | 201720929904.1 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN206945931U | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 牛龙飞;周国瑞;马志强;苗心向;袁晓东;刘昊;蒋一岚;刘青安;李可欣 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人： | 郑健 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 单模 多模 光纤 结构 磁场强度 检测 传感器 | ||
1.一种基于单模-多模-单模光纤结构的磁场强度检测传感器，其特征在于，包括：
第一单模光纤；
多模光纤，其输入端与所述第一单模光纤的输出端熔接；所述多模光纤的表面附着超磁致伸缩材料层；
第二单模光纤，其输入端与所述多模光纤的输出端熔接。
2.如权利要求1所述的基于单模-多模-单模光纤结构的磁场强度检测传感器，其特征在于，所述第一单模光纤和第二单模光纤的直径均为125μm、芯径均为8～10μm。
3.如权利要求1所述的基于单模-多模-单模光纤结构的磁场强度检测传感器，其特征在于，所述多模光纤为小芯多模光纤；所述小芯多模光纤的长度为3～10mm、直径为125μm、芯径为50～125μm。
4.如权利要求1所述的基于单模-多模-单模光纤结构的磁场强度检测传感器，其特征在于，所述超磁致伸缩材料层为铽镝铁超磁致伸缩材料层。
5.如权利要求1所述的基于单模-多模-单模光纤结构的磁场强度检测传感器，其特征在于，所述超磁致伸缩材料层的厚度为1～10μm。
6.如权利要求1所述的基于单模-多模-单模光纤结构的磁场强度检测传感器，其特征在于，所述超磁致伸缩材料层采用粘贴法或真空磁控溅射方法附着在多模光纤的表面。
7.如权利要求1所述的基于单模-多模-单模光纤结构的磁场强度检测传感器，其特征在于，所述第一单模光纤与多模光纤采用光纤熔接技术进行无偏心熔接；所述第二单模光纤与多模光纤采用光纤熔接技术进行无偏心熔接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院激光聚变研究中心，未经中国工程物理研究院激光聚变研究中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720929904.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
