[实用新型]一种无静态功耗的上电复位电路有效
| 申请号： | 201720925464.2 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN207133762U | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 虞海燕 | 申请（专利权）人： | 上海毅栈半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/24 | 分类号： | G06F1/24 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司11471 | 代理人： | 李艳霞 |
| 地址： | 200001 上海市黄浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静态 功耗 复位 电路 | ||
1.一种无静态功耗的上电复位电路，其特征在于：包括依次电连接的电压检测电路、迟滞比较电路和电压整形电路；
所述电压检测电路包括晶体管MN1、晶体管MN2、晶体管MP1和晶体管MP2；所述晶体管MN1、所述晶体管MP1、所述晶体管MN2和所述晶体管MP2依次串联，后一个晶体管的漏极与前一个晶体管的源极连接；
所述晶体管MN1的漏极和栅极均与电源端连接；所述晶体管MP1的栅极与所述晶体管MN2的栅极连接；所述晶体管MP2的源极接地，栅极与电源端连接；
所述晶体管MN1的漏极和所述晶体管MP1的源极分别与所述迟滞比较电路连接；所述迟滞比较电路将所述电压检测电路的输出信号转换成矩形波；所述电压整形电路用于消除矩形波中的微小扰动，其输出端为所述上电复位电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的一种无静态功耗的上电复位电路，其特征在于：所述晶体管MN2的栅极接地。
3.根据权利要求1所述的一种无静态功耗的上电复位电路，其特征在于：所述电压检测电路通过调整晶体管MP1和晶体管MN1的栅源电压控制复位电平。
4.根据权利要求1所述的一种无静态功耗的上电复位电路，其特征在于：所述晶体管MN2为N沟道耗尽型MOS管或者负阈值电压的MOS管；所述晶体管MP2为P沟道耗尽型MOS管。
5.根据权利要求1至4任一项所述的一种无静态功耗的上电复位电路，其特征在于：所述迟滞比较电路包括晶体管MN3、晶体管MN4、晶体管MP3和晶体管MP4；
所述晶体管MN3的栅极和漏极均与所述晶体管MN1的漏极连接；
所述晶体管MP3的漏极与所述晶体管MN3的源极连接，源极与所述晶体管MP1的源极连接；
所述晶体管MP4的漏极与所述晶体管MN3的漏极连接，栅极与所述晶体管MP3的源极连接，源极与所述晶体管MP3的栅极连接；
所述晶体管MN4的漏极与所述晶体管MP4的源极连接，栅极与所述晶体管MP3的源极连接；
所述晶体管MP4的漏极以及所述晶体管MN4的漏极和源极分别与所述电压整形电路连接。
6.根据权利要求5所述的一种无静态功耗的上电复位电路，其特征在于：所述迟滞比较电路通过调节所述晶体管MP3和所述晶体管MN3的宽长比来调节电路的迟滞电压。
7.根据权利要求5所述的一种无静态功耗的上电复位电路，其特征在于：所述电压整形电路包括晶体管MN5和晶体管MP5；
所述晶体管MP5的漏极与所述晶体管MP4的漏极连接，栅极与所述晶体管MN4的漏极连接；
所述晶体管MN5的漏极与所述晶体管MP5的源极连接，栅极与所述晶体管MP5的栅极连接，源极与所述晶体管MN4的源极连接；
所述晶体管MN5的漏极为所述上电复位电路的输出端。
8.根据权利要求7所述的一种无静态功耗的上电复位电路，其特征在于：所述晶体管MN5的源极接地。
9.根据权利要求7所述的一种无静态功耗的上电复位电路，其特征在于：所述晶体管MN5为N沟道型MOS管，所述晶体管MP5为P沟道型MOS管。
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