[实用新型]电磁炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及日常用电器技术领域，尤其涉及一种电磁炉。

背景技术

电磁炉具有加热快速、无明火、安全方便等优点，越来越受到消费者的青睐和认可。

电磁炉主要包括壳体和位于壳体顶部的面板，壳体内设有线圈盘、电路板、散热器、绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)和整流桥堆，IGBT和整流桥堆分别与散热器接触，由于IGBT和整流桥堆工作时电流大发热量大，散热器主要用于为IGBT和整流桥堆进行散热，从而使IGBT和整流桥堆保持在一个正常的温度下工作。

然而，由于IGBT封装特性是IGBT的与散热器接触的面与IGBT内部高压端(集电极)相连，导致散热器整体与IGBT集电极同位，呈高频脉动直流，该高频电流信号会通过散热器传递至与散热器接触的整流桥堆上，导致整流桥堆受到干扰，同时该高频电流信号会从整流桥堆传递至市电网络，从而影响其他设备。

实用新型内容

为了解决背景技术中提到的至少一个问题，本实用新型提供一种电磁炉，能够防止IGBT上的电信号对整流桥堆造成干扰。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种电磁炉，包括壳体，所述壳体内设有绝缘栅双极型晶体管IGBT、整流桥堆和散热器，所述散热器用于为所述IGBT和所述整流桥堆散热，还包括用于阻止所述IGBT的电信号通过所述散热器传递至所述整流桥堆的导热绝缘件。

本实用新型的电磁炉，通过设置导热绝缘件，对IGBT的电信号进行隔离，使IGBT的电信号无法通过散热器传递至整流桥堆，从而避免IGBT的电信号对整流桥堆造成干扰，进而防止与市电网络连接的其他设备受到干扰。

可选的，所述导热绝缘件为片状。

可选的，所述导热绝缘件贴设在所述IGBT与所述散热器之间的接触面上。由于导热绝缘件的良好的导热性能，IGBT发出的热量通过导热绝缘件快速传递给散热器，通过散热器将热量快速散发出去，同时，IGBT的高频电流信号受到导热绝缘件的阻挡，无法传递至散发器，因此，不会对整流桥堆造成干扰。另外，由于IGBT的电信号不会传递至散热器，因此，可避免高频电信号由散热器向空间辐射产生干扰的情况发生。

可选的，所述导热绝缘件的面积大于或等于所述IGBT的与所述散热器接触的一面的面积。这样可对整个IGBT的接触面进行绝缘，进一步提高了绝缘效果，使电信号不会传递至散热器上。

可选的，所述IGBT和所述散热器之间的接触面上以及所述整流桥堆和所述散热器之间的接触面上均贴设有所述导热绝缘件。这样若IGBT对应的导热绝缘件发生破损或者绝缘效果变差时，由于散热器与整流桥堆之间也贴设有导热绝缘件，因此，IGBT的电信号是无法传递至整流桥堆的，进一步保证整流桥堆不会受到高频信号的干扰。

可选的，所述导热绝缘件贴设在所述整流桥堆和所述散热器之间的接触面上。当IGBT的高频电信号传递至散热器，由于散热器与整流桥堆之间贴设有导热绝缘件，因此，整流桥堆不会受到IGBT高频信号的干扰。

可选的，所述导热绝缘件的厚度范围为0.1～1mm。在该范围内，即可以保证IGBT或整流桥堆的热传递效果，同时保证了绝缘效果。

可选的，所述散热器包括第一子散热器和位于所述第一子散热器一侧的第二子散热器，所述IGBT与所述第一子散热器接触，所述整流桥堆与所述第二子散热器接触，所述导热绝缘件设置在所述第一子散热器和所述第二子散热器的接合处，以使所述第一子散热器和所述第二子散热器之间绝缘。这样IGBT发出的热量传递至第一子散热器，主要通过第一子散热器进行散热，整流桥堆发出的热量传递至第二子散热器，主要通过第二子散热器进行散热，且IGBT的高频电信号会传递至第一子散热器，由于第一子散热器和第二子散热器之间具有导热绝缘件，导热绝缘件会对IGBT的电信号进行阻挡，使其无法传递至第二子散热器，从而防止与第二子散热器接触的整流桥堆受干扰。另外，由于导热绝缘件位于两个子散热器之间，因此两个子散热器之间能够进行热传递，从而增大了散热面积，提高了散热性能。

可选的，所述导热绝缘件的面向所述第一子散热器的一侧具有第一卡槽，所述第一子散热器的边缘卡设在所述第一卡槽内，所述导热绝缘件的面向所述第二子散热器的一侧具有第二卡槽，所述第二子散热器的边缘卡设在第二卡槽内。通过设置第一卡槽和第二卡槽，从而方便地实现了第一子散热器、第二子散热器以及导热绝缘件之间的固定。

可选的，所述导热绝缘件由陶瓷材料制成。