[实用新型]一种耐高压的金属陶瓷封装外壳

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其是涉及一种耐高压的金属陶瓷封装外壳。

背景技术

碳化硅肖特基二极管因为其独特的势垒结构容易实现较高的反向击穿电压，目前国内院所在碳化硅肖特基二极管单管方面已经做出了反压高于1200V的产品。

在航空航天领域要求的气密性条件下，由于产品的高压性能，无法直接应用在金属外壳整流桥的封装结构，需要面临以下几个封装难题：

1)为了保证气密性的要求，传统的塑封材料已不能胜任高压的要求；

2)选用金属陶瓷外壳，虽然保证了气密性，但是需要防止空气击穿带来的长期可靠性。

因此，如何解决现有技术中的金属陶瓷外壳耐压低、金属陶瓷外壳引起的空气击穿、可靠性低等问题，提高产品的长期可靠性是本领域技术人员亟需解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种耐高压的金属陶瓷封装外壳，该金属陶瓷封装外壳能够解决现有技术中的金属陶瓷外壳耐压低、金属陶瓷外壳引起的空气击穿、可靠性低等问题，提高产品的长期可靠性。

为解决上述的技术问题，本实用新型提供的技术方案为：

一种耐高压的金属陶瓷封装外壳，包括金属底板、金属框、金属盖板、若干块铜钼铜片、若干个陶瓷绝缘子以及若干根引线；

所述金属底板封盖所述金属框的底端出口且所述金属盖板封盖所述金属框的顶端出口以使得所述金属底板、金属框以及金属盖板构成一个内含空腔的密封箱体结构，所述金属底板与所述金属框通过银铜钎料钎焊连接；

所述若干块铜钼铜片设置在所述空腔中且所述若干块铜钼铜片构成导电图形；

所述金属框的一个侧面壁上开设有若干个用于穿插固定所述陶瓷绝缘子的第一通孔；

每个所述陶瓷绝缘子上沿其轴向中心线设置有用于穿插固定所述引线的第二通孔；

所述陶瓷绝缘子通过银铜钎料钎焊穿插固定在所述第一通孔中，所述若干个陶瓷绝缘子与若干个第一通孔一一对应；

所述引线通过银铜钎料钎焊穿插固定在所述第二通孔中，所述若干根引线与若干个第二通孔一一对应；

所述若干根引线的且位于所述空腔中的一端与相应的所述若干块铜钼铜片通过导电线一一对应地电连接；

所述金属底板、金属框、铜钼铜片、引线以及导电线的所有外露的金属面上从内到外依次镀有一层镍与一层金；

所述金属盖板与所述金属框通过平行缝焊焊接密封连接。

优选的，上述的金属陶瓷封装外壳包括四块铜钼铜片、四个陶瓷绝缘子以及四根引线；

所述金属陶瓷封装外壳还包括钼片以及氮化铝陶瓷片；

所述金属底板的位于空腔中的表面上设置有凹坑；

所述钼片通过银铜钎料钎焊在所述凹坑中；

所述氮化铝陶瓷片通过银铜钎料钎焊在所述钼片的上表面上；

四块铜钼铜片通过银铜钎料钎焊平铺在所述氮化铝陶瓷片的上表面上且四块铜钼铜片构成导电图形；

所述金属框的一个侧面壁上开设有四个用于穿插固定所述陶瓷绝缘子的第一通孔；

所述陶瓷绝缘子通过银铜钎料钎焊穿插固定在所述第一通孔中，四个陶瓷绝缘子与四个第一通孔一一对应；

所述引线通过银铜钎料钎焊穿插固定在所述第二通孔中，四根引线与四个第二通孔一一对应；

四个引线的且位于所述空腔中的一端与相应的四块铜钼铜片通过导电线一一对应地电连接；

所述金属底板、金属框、钼片、四块铜钼铜片、四根引线以及四根导电线的所有外露的金属面上从内到外依次镀有一层镍与一层金。

优选的，所述金属底板为无氧铜材质。

优选的，所述引线为直径1.2mm的无氧铜引线。

优选的，所述陶瓷绝缘子的外径为3.5mm，所述陶瓷绝缘子的露在所述金属框之外的部分的长度为4mm。

优选的，由铜钼铜片构成的导电图形的任意一条边与相应的所述金属框的内壁面之间的直线距离为5mm～6mm。