[实用新型]电荷存储单元

权利要求书

1.一种电荷存储单元，其特征在于，包括：

半导体区，所述半导体区具有第一导电类型的电荷载流子；

第一深沟槽隔离结构；

电荷存储区，所述电荷存储区的位置邻近于所述第一深沟槽隔离结构，所述电荷存储区包括与所述第一导电类型不同的第二导电类型的电荷载流子并且沿着整个所述第一深沟槽隔离结构延伸；以及

第二深沟槽隔离结构，所述第二深沟槽隔离结构的位置邻近于所述电荷存储区并且与所述第一深沟槽隔离结构相对。

2.如权利要求1所述的电荷存储单元，其特征在于，所述电荷存储区包括上部掺杂部分以及下部掺杂部分，所述上部掺杂部分比所述下部掺杂部分掺杂得更重。

3.如权利要求1所述的电荷存储单元，其特征在于，进一步包括：

第三深沟槽隔离结构，所述第三深沟槽隔离结构的位置邻近于所述第一深沟槽隔离结构，使得所述第一深沟槽隔离结构在所述第二深沟槽隔离结构与所述第三深沟槽隔离结构之间；以及

第二电荷存储区，所述第二电荷存储区在所述第一深沟槽隔离结构与所述第三深沟槽隔离结构之间。