[实用新型]一种高性能薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201720913631.1 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN207517697U | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;胡诗犇;姚日晖;卢宽宽;刘贤哲;郑泽科;章红科;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 郭炜绵 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 绝缘层 本实用新型 衬底 源层 铟层 高性能薄膜 钝化层 漏电极 源电极 晶体管 载流子 加速载流子 源/漏电极 低电阻率 高迁移率 高稳定性 电阻率 迁移率 铜电极 最外层 包覆 阻抗 制备 延迟 传输 | ||
【权利要求书】：
1.一种高性能薄膜晶体管，特征在于：其底部是衬底，衬底上设置一栅极，栅极的四周有一绝缘层包覆隔绝，绝缘层之上是有源层，有源层之上是富铟层；该薄膜晶体管的最外层是钝化层，钝化层与富铟层、有源层、绝缘层、衬底围成的区域分别是含铜的源电极和漏电极；
所述源电极和漏电极的沟道宽度为0.1-1000μm，长度为0.1-1000μm。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极的厚度为50-10000nm。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述绝缘层的厚度为2-1000nm。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述有源层的厚度为5-200nm。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述富铟层的厚度为1-20nm。
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