[实用新型]太赫兹表面等离子体共振传感装置

权利要求书

1.一种太赫兹表面等离子体共振传感装置，其特征在于：包括基台，所述基台上设置有由电机驱动转动的旋转平台，所述旋转平台上设置有折射率传感耦合结构，所述折射率传感耦合结构包括依次设置的三棱镜、MgF₂基底层、缓冲层、掺杂石墨烯层、样品池，所述样品池设置用供样品流入流出的出入口，流入样品池内的样品直接与掺杂石墨烯层接触，所述基台上设置有太赫兹发射器、太赫兹接收器，三棱镜一个侧面与MgF2基底层相连接，太赫兹发射器、太赫兹接收器分别位于三棱镜不与MgF₂基底层相连接的两个侧面的旁侧，所述太赫兹接收器连接信号处理装置。

2.根据权利要求1所述的太赫兹表面等离子体共振传感装置,其特征在于：所述信号处理装置为PC。

3.根据权利要求2所述的太赫兹表面等离子体共振传感装置，其特征在于：所述MgF₂基底层粘附在三棱镜上。

4.根据权利要求3所述的太赫兹表面等离子体共振传感装置，其特征在于：所述缓冲层为采用聚轻基苯乙烯的衍生物NFC在MgF₂基底上进行旋涂，厚度为20 nm。

5.根据权利要求4所述的太赫兹表面等离子体共振传感装置，其特征在于：所述掺杂石墨烯层的掺杂率为0.6 -1.64eV 。

6.根据权利要求5所述的太赫兹表面等离子体共振传感装置，其特征在于：所述太赫兹发射器发射频率为5THz、TM偏振的太赫兹光源。

7.根据权利要求6所述的太赫兹表面等离子体共振传感装置，其特征在于：所述MgF₂基底层由5.5 μm厚，折射率为1.36 的MgF₂材料构成。

8.根据权利要求7所述的太赫兹表面等离子体共振传感装置，其特征在于：所述三棱镜为锗棱镜。